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STD4NK80Z-1 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STD4NK80Z-1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD4NK80Z-1 자료 제공

부품번호 STD4NK80Z-1 기능
기능 N-channel MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STD4NK80Z-1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STD4NK80Z-1 데이터시트, 핀배열, 회로
STP4NK80Z - STP4NK80ZFP
STD4NK80Z - STD4NK80Z-1
N-channel 800V - 3- 3A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK
Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET
General features
www.DataSheet4U.com Type
STP4NK80Z
STP4NK80ZFP
STD4NK80Z
STD4NK80Z-1
VDSS
(@Tjmax)
800 V
800 V
800 V
800 V
RDS(on)
< 3.5
< 3.5
< 3.5
< 3.5
ID
3A
3A
3A
3A
Extremely high dv/dt capability
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very good manufacturing repeatibility
Description
The SuperMESH™ series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerMESH™ layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Such series complements ST full range of high
voltage MOSFETs including revolutionary
MDmesh™ products.
Applications
Switching application
TO-220
3
2
1
TO-220FP
3
1
DPAK
IPAK
3
2
1
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STP4NK80Z
STP4NK80ZFP
STD4NK80ZT4
STD4NK80Z-1
Marking
P4NK80Z
P4NK80ZFP
D4NK80Z
D4NK80Z
Package
TO-220
TO-220FP
DPAK
IPAK
Packaging
Tube
Tube
Tape & reel
Tube
August 2006
Rev 8
1/18
www.st.com
18




STD4NK80Z-1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical ratings
STP4NK80Z - STP4NK80ZFP - STD4NK80Z - STD4NK80Z-1
www.DataSheet4U.com
1.1
Table 3. Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Avalanche current, repetitive or not-repetitive
IAR (pulse width limited by Tj Max)
Single pulse avalanche energy
EAS (starting Tj=25°C, Id=Iar, Vdd=50V)
Value
3
190
Unit
A
mJ
Table 4. Gate-source zener diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
BVGSO Gate-source breakdown voltage Igs=± 1mA (Open Drain) 30
V
Protection features of gate-to-source zener diodes
The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only
the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients
that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is
appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s
integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.
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STD4NK80Z-1 전자부품, 판매, 대치품
STP4NK80Z - STP4NK80ZFP - STD4NK80Z - STD4NK80Z-1
Electrical characteristics
2.1 Electrical characteristics (curves)
Figure 1. Safe operating area for TO-
220/DPAK/IPAK
Figure 2. Thermal impedance for TO-
220/DPAK/IPAK
www.DataSheet4U.com
Figure 3. Safe operating area for TO-220FP Figure 4. Thermal impedance for TO-220FP
Figure 5. Output characterisics
Figure 6. Transfer characteristics
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