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STP10NM65N 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STP10NM65N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP10NM65N 자료 제공

부품번호 STP10NM65N 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STP10NM65N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP10NM65N 데이터시트, 핀배열, 회로
STD10NM65N - STF10NM65N
STP10NM65N - STU10NM65N
N-channel 650 V - 0.43 - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK
second generation MDmesh™ Power MOSFET
Features
www.DataSheet4U.com Type
VDSS
RDS(on)
(@Tjmax) max
ID
STD10NM65N
STF10NM65N
STP10NM65N
STU10NM65N
710 V
710 V
710 V
710 V
< 0.48
< 0.48
< 0.48
< 0.48
9A
9 A(1)
9A
9A
1. Limited only by maximum temperature allowed
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Application
Switching applications
Description
This series of devices implements the second
generation of MDmesh™ Technology. This
revolutionary Power MOSFET associates a new
vertical structure to the Company’s strip layout to
yield one of the world’s lowest on-resistance and
gate charge. It is therefore suitable for the most
demanding high efficiency converters.
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
3
2
1
IPAK
3
1
DPAK
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order codes
STD10NM65N
STF10NM65N
STP10NM65N
STU10NM65N
Marking
10NM65N
10NM65N
10NM65N
10NM65N
Package
DPAK
TO-220FP
TO-220
IPAK
Packaging
Tape & reel
Tube
Tube
Tube
February 2008
Rev 2
1/17
www.st.com
17




STP10NM65N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STD10NM65N - STF10NM65N - STP10NM65N - STU10NM65N
2 Electrical characteristics
www.DataSheet4U.com
(TCASE=25 °C unless otherwise specified)
Table 5. On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
dv/dt (1) Drain source voltage slope
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
ID = 1 mA, VGS = 0
650
VDD= 520 V, ID= 9 A,
VGS= 10 V
VDS = max rating
VDS = max rating, @125 °C
VGS = ± 20 V
VDS = VGS, ID = 250 µA
2
VGS = 10 V, ID = 4.5 A
V
25 V/ns
1 µA
100 µA
±100 nA
34
0.43 0.48
V
1. Characteristics value at turn off on inductive load
Table 6. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
gfs (1)
Ciss
Coss
Crss
Forward transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS=15 V, ID = 4.5 A
VDS = 50 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
7.5 S
pF
850
pF
53
pF
4
Coss
(2)
eq.
Equivalent output
capacitance
VGS = 0, VDS = 0 to 520 V
90
pF
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
VDD = 520 V, ID = 9 A,
VGS = 10 V,
(see Figure 19)
25 nC
14 nC
4 nC
1. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%
2. Coss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as Coss when VDS
increases from 0 to 80% VDSS
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STP10NM65N 전자부품, 판매, 대치품
STD10NM65N - STF10NM65N - STP10NM65N - STU10NM65N
Electrical characteristics
Figure 8. Output characteristics
Figure 9. Transfer characteristics
www.DataSheet4U.com
Figure 10. Transconductance
Figure 11. Static drain-source on resistance
Figure 12. Gate charge vs gate source voltage Figure 13. Capacitance variations
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