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H5N2306PF 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 H5N2306PF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 H5N2306PF 자료 제공

부품번호 H5N2306PF 기능
기능 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


H5N2306PF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

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H5N2306PF 데이터시트, 핀배열, 회로
H5N2306PF
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
Low leakage current
www.DataSheet4U.cHoimgh speed switching
Outline
TO-3PFM
D
G
S
REJ03G0031-0200Z
Rev.2.00
Jun.25.2004
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
Rev.2.00, Jun.25.2004, page 1 of 9




H5N2306PF pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N2306PF
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
www.DataSheet4U.com
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
1000
300
100
30
10
3
1
(TcDP=CW2O=5p°1eC0r)m1astmio(1snsh1o0t)0
10
µs
µs
0.3 Operation in
0.1 this area is
limited by RDS(on)
0.03 Ta = 25°C
0.01
0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
100
10 V
7V
Pulse Test
8V
80
6.5 V
60 6 V
40
5.5 V
20
VGS = 5 V
0 4 8 12 16 20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
100
V DS = 10 V
Pulse Test
80
60
40
20
Tc = 75°C
25°C
-25°C
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Rev.2.00, Jun.25.2004, page 4 of 9

4페이지










H5N2306PF 전자부품, 판매, 대치품
H5N2306PF
100
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
80
60
www.DataSheet4U.com
40
10 V
20 5 V
VGS = 0 V
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
5
VDS = 10 V
4 ID = 10 mA
1 mA
3
2 0.1 mA
1
0
-25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 100 V
Waveform
Vin 10%
Vout 10%
90%
td(on)
tr
90%
10%
90%
td(off)
tf
Rev.2.00, Jun.25.2004, page 7 of 9

7페이지


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