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PDF H5N2504DL Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | H5N2504DL | |
| Descripción | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
| Fabricantes | Renesas Technology | |
| Logotipo |  |
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H5N2504DL, H5N2504DS
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
www.DataSheet•4U.cLoomw leakage current
• High speed switching
• Low gate charge
• Avalanche ratings
Outline
REJ03G1106-0200
(Previous: ADE-208-1375A)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B
(Package name: DPAK (L)-(2) )
4
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C
(Package name: DPAK (S) )
4D
12 3
G
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
12 3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
1 page  
H5N2504DL, H5N2504DS
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Pulse Test
8
6
www.DataSheet4U.com
4
5, 10 V
2
VGS = 0 V
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
5
VDS = 10 V
4
3
ID = 10 mA 1 mA
2
1 0.1 mA
0
–50 0
50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c (t) = γ s (t) • θch – c
θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10 Ω
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 125 V
Waveform
Vin
Vout
10%
10%
90%
td(on)
tr
90%
90%
td(off)
10%
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| H5N2504DL | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Renesas Technology |
| H5N2504DS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Renesas Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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