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부품번호 | H5N2508DS 기능 |
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기능 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | ||
제조업체 | Renesas Technology | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
H5N2508DL, H5N2508DS
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance: R DS (on) = 0.48 Ω typ.
www.DataSheet•4U.cLoomw leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V)
• High speed switching: tf = 11 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 125 V, ID = 3.5 A)
• Low gate charge: Qg = 13 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 7 A)
• Avalanche ratings
REJ03G1108-0200
(Previous: ADE-208-1377)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B
(Package name: DPAK (L)-(2) )
4
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C
(Package name: DPAK (S) )
D
4
123
123
G
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
H5N2508DL, H5N2508DS
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
2.0
Pulse Test
VGS = 10 V
1.6
www.DataSheet4U.com
1.2
ID = 7 A
0.8
3A
0.4 1 A
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
di / dt = 100 A / µs
500 VGS = 0, Ta = 25°C
200
100
50
20
10
0.2
0.5 1
2
5 10 20
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
500
ID = 7 A
400
VDD = 50 V
300
100 V
200 V
VDS
200
VGS
20
16
12
8
100
0
0
VDD = 200 V
100 V
50 V
4 8 12 16
Gate Charge Qg (nC)
4
0
20
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
50 VDS = 10 V
Pulse Test
20
10
5 Tc = –25°C
2 25°C
1
0.5 75°C
0.2
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
Drain Current ID (A)
5000
2000
1000
500
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
200
100
50 Coss
20
10 Crss
5
0 20 40 60 80 100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Switching Characteristics
1000
VGS = 10 V, VDD = 125 V
PW = 10 µs, duty ≤ 1 %
RG = 10 Ω
100
td(off)
td(on)
10 tr
tf
1
0.2 0.5 1 2
5 10 20
Drain Current ID (A)
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7
4페이지 H5N2508DL, H5N2508DS
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
H5N2508DL-E
3200 pcs
Box (Sack)
H5N2508DSTL-E
3000 pcs
Taping
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
www.DataSheet4U.com
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 7 of 7
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H5N2508DS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Renesas Technology |
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