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H5N2517FN 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 H5N2517FN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 H5N2517FN 자료 제공

부품번호 H5N2517FN 기능
기능 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


H5N2517FN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H5N2517FN 데이터시트, 핀배열, 회로
H5N2517FN
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
Low leakage current
www.DataSheet4U.cHoimgh speed switching
Outline
TO-220FN
D
G
S
REJ03G0371-0100Z
Rev.1.00
May.28.2004
1. Gate
2. Drain
3. Source
1
23
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to Source voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-Drain diode reverse Drain current
Body-Drain diode reverse Drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch 150°C
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID
Note1
(pulse)
IDR
IDR
Note1
(pulse)
IAPNote3
EARNote3
Pch Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
250
±30
20
80
20
80
7
3.0
30
4.17
150
–55 to +150
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
(Ta = 25°C)
Unit
Rev.1.00, May.28.2004, page 1 of 7




H5N2517FN pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N2517FN
www.DataSheet4U.com
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.200
Pulse Test
V GS = 10 V
0.160
0.120
0.080
0.040
I D = 20 A
17.5 A
10 A
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
1000
500
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
200
100
50
20 di / dt = 100 A / µs
10
0.1 0.3
VGS = 0, Ta = 25°C
1 3 10 30 100
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
500
I D= 20 A
400 V DS = 50 V
100 V
200 V
VGS
300
VDD
200
20
16
12
8
100
V DS = 200 V
4
100 V
50 V
0
0 20 40 60 80 100
Gate Charge Qg (nC)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
50
Tc = –25°C
20
10
25°C
5
2 75°C
1
V DS = 10 V
0.5 Pulse Test
0.2
0.2 0.5 1 2 5 10 20
Drain Current ID (A)
50 100
10000
5000
2000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
1000
500
Coss
200
100
50 Crss
20
10
0 20 40 60 80 100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Switching Characteristics
10000
VGS = 10 V, V DD = 125 V
PW = 5 µs, duty < 1 %
RG=10
1000
tf
tr
t d(off)
100
tf
10
0.1
tr
0.3 1 3
Drain Current
t d(on)
10 30 100
ID (A)
Rev.1.00, May.28.2004, page 4 of 7

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H5N2517FN 전자부품, 판매, 대치품
H5N2517FN
Package Dimensions
TO-220FN
EIAJ Package Code
JEDEC Code
Mass (g) (reference value)
2.0
Lead Material
Cu alloy
10 ± 0.3
2.8 ± 0.2
www.DataSheet4U.com
2.54 ± 0.25
φ3.2 ± 0.2
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
0.75 ± 0.15
Note 1) The dimensional figures indicate representative values unless
otherwise the tolerance is specified.
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
x
y
y1
ZD
ZE
Dimension in Millimeters
Min Typ
Max
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
H5N2517FN-E
50 pcs
Plastic magazine
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
Rev.1.00, May.28.2004, page 7 of 7

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