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H7N0603DL 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 H7N0603DL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H7N0603DL 자료 제공

부품번호 H7N0603DL 기능
기능 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


H7N0603DL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H7N0603DL 데이터시트, 핀배열, 회로
H7N0603DL, H7N0603DS
Silicon N Channel MOS FET
High speed power Switching
Features
Low on - resistance
RDS (on) = 11 mtyp.
www.DataSheet4U.cLoomw drive current
Capable of 4.5 gate drive
Outline
REJ03G0123-0200
Rev.2.00
Jan.26.2005
PRSS0004ZD-B
PRSS0004ZD-C
(Previous code: DPAK(L)-2) (Previous code: DPAK-(S))
D4
4
1. Gate
2. Drain
3. Source
G
12 3
4. Drain
H7N0603DS
S 12 3
H7N0603DL
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Tc = 25°C
3. Tch = 25°C, Rg 50
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID (pulse) Note1
IDR
IAPNote3
EARNote3
PchNote2
Tch
Tstg
Ratings
60
±20
30
120
30
25
53.6
40
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
Rev.2.00, Jan.26.2005, page 1 of 8




H7N0603DL pdf, 반도체, 판매, 대치품
H7N0603DL, H7N0603DS
Static Drain to State Resistance
vs. Temperature
50
Pulse Test
40
www.DataSheet4U.com
30
20
4.5 V
5, 10, 20 A
10
VGS = 10 V
0
–50 0
5, 10, 20 A
50 100
Case Temperature Tc (°C)
150
1000
300
100
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
di / dt = 100 A / µs
VGS = 0, Ta = 25°C
30
10
3
1
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
100
ID = 30 A
VGS
80
20
16
60
VDS
VDD = 50 V
25 V
10 V
12
40 8
20
VDD = 50 V
4
25 V
10 V
0
0 20 40 60 80 100
Reverse Drain Current Qg (nc)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
Tc = –40°C
10
1 25°C
0.1 150°C
0.01
0.001
0.0001 0.001 0.01 0.1
VDS = 10 V
Pulse Test
1 10 100
Drain Current ID (A)
10000
3000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
1000
300 Coss
100 Crss
30 VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 10 20 30 40
Drain to Source Voltage VDS
50
(V)
1000
Switching Characteristics
300 tf
100
td(off)
tr
td(on)
30
tr
10
tf
VGS = 10 V, VDD = 30 V
3 PW = 5 µs, duty < 1 %
Rg = 4.7
1
0.1 0.3 1 3 10 30
Drain Current ID (A)
100
Rev.2.00, Jan.26.2005, page 4 of 8

4페이지










H7N0603DL 전자부품, 판매, 대치품
H7N0603DL, H7N0603DS
Package Dimensions
H7N0603DL
JEITA Package Code
RENESAS Code
PRSS0004ZD-B
Previous Code
DPAK(L)-(2) / DPAK(L)-(2)V
MASS[Typ.]
0.42g
www.DataSheet4U.com
6.5 ± 0.5
5.4 ± 0.5
2.3 ± 0.2
0.55 ± 0.1
1.15 ± 0.1
0.8 ± 0.1
(0.7)
1.2 ± 0.3
0.55 ± 0.1
2.29 ± 0.5
2.29 ± 0.5
0.55 ± 0.1
H7N0603DS
JEITA Package Code
SC-63
RENESAS Code
PRSS0004ZD-C
Previous Code
DPAK(S) / DPAK(S)V
MASS[Typ.]
0.28g
6.5 ± 0.5
5.4 ± 0.5
(0.1)
(0.1)
2.3 ± 0.2
0.55 ± 0.1
(5.1)
1.0 Max.
2.29 ± 0.5
(1.2)
0.8 ± 0.1
2.29 ± 0.5
0 – 0.25
0.55 ± 0.1
Unit: mm
Unit: mm
Rev.2.00, Jan.26.2005, page 7 of 8

7페이지


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