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Número de pieza | H7N0608AB | |
Descripción | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
Fabricantes | Renesas Technology | |
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Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
www.DataSheet4U.com Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 6.0 mΩ typ.
• Low drive current
• Available for 4.5 V gate drive
Outline
TO-220AB
REJ03G0143-0100Z
Rev.1.00
Oct.30.2003
D
G
S
1
2
3
1. Gate
2. Drain
(Flange)
3. Source
Rev.1.00, Oct.30.2003, page 1 of 9
1 page H7N0608AB
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
500
Pulse Test
400
300 ID = 50 A
www.DataSheet4U.com
200
100
20 A
10 A
0 4 8 12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Pulse Test
30
10 VGS = 4.5 V
10 V
3
1
1 3 10 30 100 300 1000
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
Pulse Test
16
12 50 A
10, 20 A
8 4.5 V
4 10, 20, 50 A
VGS = 10 V
0
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
1000
300
100
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
VDS = 10 V
Pulse Test
Tc = –40°C
30
25°C
10
150°C
3
1
0.3
0.10.1
0.3 1 3 10 30
Drain Current ID (A)
100
Rev.1.00, Oct.30.2003, page 5 of 9
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PDF Descargar | [ Datasheet H7N0608AB.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
H7N0608AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Renesas Technology |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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