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HAT2199R 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 HAT2199R은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HAT2199R 자료 제공

부품번호 HAT2199R 기능
기능 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


HAT2199R 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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HAT2199R 데이터시트, 핀배열, 회로
HAT2199R
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
www.DataSheet4U.cLoomw drive current
High density mounting
Low on-resistance
RDS(on) = 13.0 mtyp. (at VGS = 10 V)
Outline
SOP-8
8 7 65
1 234
4
G
56 7 8
DD D D
SSS
12 3
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
REJ03G0063-0300
Rev.3.00
Sep.23.2004
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Ratings
Drain to source voltage
VDSS
30
Gate to source voltage
VGSS
±20
Drain current
Drain peak current
ID
ID(pulse)Note1
11
88
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to ambient thermal impedance
IDR
IAP Note 2
EAR Note 2
Pch Note3
θch-a Note3
11
11
12.1
2.0
62.5
Channel temperature
Tch 150
Storage temperature
Tstg –55 to +150
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg 50
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW 10s
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
Rev.3.00, Sep.23.2004, page 1 of 7




HAT2199R pdf, 반도체, 판매, 대치품
HAT2199R
www.DataSheet4U.com
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
50
Pulse Test
40
30 ID = 2 A, 5 A, 10 A
20 VGS = 4.5 V
10
10 V
2 A, 5 A, 10 A
0
-25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
100
50
20
di/dt = 100 A/µs
10
0.1
VGS = 0, Ta = 25°C
1 10 100
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
50
ID = 11 A
20
40
VDD = 25 V
10 V
30 5 V
16
VGS
12
20 VDS
8
VDD = 25 V
10 10 V 4
5V
0
0 4 8 12 16 20
Gate Charge Qg (nc)
1000
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100 Tc = –25°C
10
25°C
1 75°C
VDS = 10 V
Pulse Test
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain Current ID (A)
10000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
3000
1000
300
100
Ciss
Coss
Crss
30 VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 5 10 15 20 25 30
Drain to Source Voltage VDS (V)
1000
Switching Characteristics
VGS = 10 V, VDS = 10 V
Rg = 4.7 , duty < 1 %
100
td(off)
10
tr
1
0.1
td(on)
tf
1 10
Drain Current ID (A)
100
Rev.3.00, Sep.23.2004, page 4 of 7

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HAT2199R 전자부품, 판매, 대치품
HAT2199R
Package Dimensions
www.DataSheet4U.com
4.90
5.3 Max
85
14
0.75 Max
1.27
*0.42 ± 0.08
0.40 ± 0.06
*Dimension including the plating thickness
Base material dimension
As of January, 2003
Unit: mm
6.10
+
0.10
0.30
1.08
0.60
+
0.67
0.20
0˚ – 8˚
0.15
0.25 M
Package Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
FP-8DA
Conforms
0.085 g
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
HAT2199R-EL-E
2500 pcs
Taping
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
Rev.3.00, Sep.23.2004, page 7 of 7

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