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부품번호 | 2STW4466 기능 |
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기능 | High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
2STW4466
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = 80 V
www.DataSheet4U■.comComplementary to 2STW1693
■ Typical ft = 20 MHz
■ Fully characterized at 125 oC
Applications
■ Audio power amplifier
Description
The device is a NPN transistor manufactured in
low voltage planar technology using base island
layout. The resulting transistor shows good gain
linearity coupled with low VCE(sat) behaviour.
Recommended for 40 W to 70 W high fidelity
audio frequency amplifier output stage.
3
2
1
TO-247
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order code
2STW4466
Marking
2STW4466
Package
TO-247
Packaging
Tube
September 2008
Rev 2
1/9
www.st.com
9
Electrical characteristics
2.1 Electrical characteristics (curves)
2STW4466
Figure 2. DC current gain
Figure 3. DC current gain
www.DataSheet4U.com
Figure 4. Collector-emitter saturation Figure 5. Base-emitter saturation
voltage
voltage
Figure 6. Base emitter voltage
Figure 7. Resistive load switching time
(on)
4/9
4페이지 2STW4466
Package mechanical data
www.DataSheet4U.com
Dim.
A
A1
b
b1
b2
c
D
E
e
L
L1
L2
øP
øR
S
TO-247 Mechanical data
Min.
4.85
2.20
1.0
2.0
3.0
0.40
19.85
15.45
14.20
3.70
3.55
4.50
mm.
Typ
5.45
18.50
5.50
Max.
5.15
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.15
15.75
14.80
4.30
3.65
5.50
7/9
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2STW4466.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2STW4466 | High power NPN epitaxial planar bipolar transistor | STMicroelectronics |
2STW4468 | High Power NPN Epitaxial Planar Bipolar Transistor | ST Microelectronics |
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