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B1020A 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 B1020A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 B1020A 자료 제공

부품번호 B1020A 기능
기능 PNP Transistor - 2SB1020A
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


B1020A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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B1020A 데이터시트, 핀배열, 회로
2SB1020A
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power)
2SB1020A
High-Power Switching Applications
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A)
Complementary to 2SD1415A
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
DC
Pulse
Base current
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Junction temperature
Storage temperature range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
100
100
5
7
10
0.7
2.0
30
150
55 to 150
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Collector
Base
5 k
150
Emitter
1 2006-11-21




B1020A pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SB1020A
IC – VBE
7
Common emitter
6 VCE = 3 V
5
4
Tc = 100°C 25
50
3
2
1
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
Base-emitter voltage VBE (V)
rth – tw
100
Curves should be applied in thermal limited area.
30 (single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink
(2) No heat sink
10
3
1
0.3
0.1
0.001
0.01
0.1 1
Pulse width tw (s)
10
Safe Operating Area
20
IC max (pulsed)*
10
1 ms*
5
IC max
(continuous)
3
10 ms*
100 ms*
100 μs*
1
DC operation
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
3 10 30
VCEO max
100
300
Collector-emitter voltage VCE (V)
(2)
(1)
100 1000
4 2006-11-21

4페이지












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