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STP08IE120F4 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STP08IE120F4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STP08IE120F4 자료 제공

부품번호 STP08IE120F4 기능
기능 Emitter Switched Bipolar Transistor
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STP08IE120F4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP08IE120F4 데이터시트, 핀배열, 회로
STP08IE120F4
Emitter Switched Bipolar Transistor
ESBT® 1200 V - 8 A - 0.10
Preliminary Data
General features
VCS(ON)
www.DataSheet4U.com
0.8 V
IC
8A
RCS(ON)
0.10 W
High voltage / high current Cascode
configuration
Low equivalent on resistance
very fast-switch up to 150 kHz
Squared RBSOA up to 1200V
Very low Ciss driven by RG = 47
Very low turn-off cross over time
Applications
Aux SMPS for three phase mains
Description
The STP08IE120F4 is manufactured in Monolithic
ESBT Technology, aimed to provide best perfor-
mances in high frequency / high voltage applica-
tions.
It is designed for use in Gate Driven based topolo-
gies.
TO220FP-4L
Internal schematic diagrams
Order codes
Part Number
Marking
STP08IE120F4
P08IE120F4
Package
TO220FP-4L
Packing
Tube
November 2006
Rev 1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
1/11
www.st.com
11




STP08IE120F4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STP08IE120F4
www.DataSheet4U.com
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Symbol
Electrical characteristics
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICS(SS)
IBS(OS)
ISB(OS)
IGS(OS)
VCS(ON)
hFE
VBS(ON)
VGS(th)
CISS
QGS(tot)
ts
tf
ts
tf
VCSW
VCS(dyn)
VCS(dyn)
Collector-source current
(VBS = VGS = 0)
VCE = 1200V
Base-source current
(IC = 0, VGS = 0)
VBS(OS) = 30V
Source-base current
(IC = 0, VGS = 0)
VSB(OS) = 17V
Gate-source leakage
VGS = ± 17V
Collector-source ON
voltage
VGS = 10V _IC = 8A IB = 1.6A
VGS = 10V_ IC = 4A IB = 0.4A
DC current gain
VGS = 10V_ IC = 8A VCS = 1V
VGS = 10V_ IC = 4A_ VCS = 1V
Base Source ON voltage
VGS = 10V_ IC = 8A IB = 1.6A
VGS = 10V_ IC = 4A_ IB = 0.4A
Gate threshold voltage VBS = VGS ______IB = 250µA
Input capacitance
VCS = 25V ______f = 1MHz
VGS = 0
Gate-source charge
VGS = 10V
5
7
2
0.8
0.5
1.5
1.5
3
550
26
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
Maximum collector-
source voltage switched
without snubber
IC = 4A IB = 0.8A VGS = 10V
VClamp = 960V RG = 47
tp = 4µs
IC = 4A IB = 0.4A VGS = 10V
VClamp = 960V RG = 47
tp = 4µs
RG = 47hFE = 5A IC = 8A
670
15
340
10.2
1200
Collector-source
dynamic voltage
(500ns)
Collector-source
dynamic voltage
(1 µs)
VCC = VClamp = 400V VGS = 10V
RG = 47IC = 4A IB = 0.8A
IBpeak = 4A tpeak = 500ns
VCC = VClamp = 400V VGS = 10V
RG = 47IC = 4A IB = 0.8A
IBpeak = 4A tpeak = 500ns
5.75
3.35
100
10
100
100
1
1.2
4
µA
µA
µA
nA
V
V
V
V
V
pF
nC
ns
ns
ns
ns
V
V
V
4/11

4페이지










STP08IE120F4 전자부품, 판매, 대치품
STP08IE120F4
Electrical characteristics
2.2 Test circuits
Figure 12. Inductive load switching and RBSOA test circuit
www.DataSheet4U.com
7/11

7페이지


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