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IKP03N120H2 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IKP03N120H2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IKP03N120H2 자료 제공

부품번호 IKP03N120H2 기능
기능 HighSpeed 2-Technology
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IKP03N120H2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IKP03N120H2 데이터시트, 핀배열, 회로
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IKP03N120H2,
IKW03N120H2
IKB03N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
Designed for:
- SMPS
- Lamp Ballast
- ZVS-Converter
2nd generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
- Eoff optimized for IC =3A
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
C
G
E
P-TO-263-3-2 (D²-PAK)
(TO-263AB)
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
P-TO-247-3-1
(TO-247AC)
Type
VCE
IC
Eoff
Tj Package
Ordering Code
IKW03N120H2 1200V 3A 0.15mJ 150°C P-TO-247
Q67040-S4595
IKP03N120H2 1200V 3A 0.15mJ 150°C P-TO-220-3-1
Q67040-S4594
IKB03N120H2
1200V 3A
0.15mJ 150°C P-TO-263 (D2PAK) Q67040-S4597
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Triangular collector current
TC = 25°C, f = 140kHz
TC = 100°C, f = 140kHz
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax
Turn off safe operating area
VCE 1200V, Tj 150°C
Diode forward current
TC = 25°C
TC = 100°C
Gate-emitter voltage
Power dissipation
TC = 25°C
Operating junction and storage temperature
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
IF
VGE
Ptot
Tj , Tstg
-
Value
1200
9.6
3.9
9.9
9.9
Unit
V
A
9.6
3.9
±20 V
62.5 W
-40...+150
260
225 (for SMD)
°C
Power Semiconductors
1
Rev. 2, Mar-04




IKP03N120H2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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IKP03N120H2,
IKW03N120H2
IKB03N120H2
Switching Energy ZVT, Inductive Load
Parameter
Symbol
Conditions
IGBT Characteristic
Turn-off energy
Eoff
VCC=800V,
IC=3A,
VGE=15V/0V,
RG=82,
Cr2)=4nF
Tj=25°C
Tj=150°C
min.
Value
typ.
Unit
max.
mJ
- 0.05 -
- 0.09 -
Power Semiconductors
4
Rev. 2, Mar-04

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IKP03N120H2 전자부품, 판매, 대치품
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IKP03N120H2,
IKW03N120H2
IKB03N120H2
1000ns
100ns
td(off)
tf
10ns
td(on)
tr
1ns
0A 2A 4A
IC, COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load, Tj = 150°C,
VCE = 800V, VGE = +15V/0V, RG = 82,
dynamic test circuit in Fig.E)
1000ns
td(off)
100ns
10ns
tf
td(on)
1ns
0
tr
50
100
150
RG, GATE RESISTOR
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load, Tj = 150°C,
VCE = 800V, VGE = +15V/0V, IC = 3A,
dynamic test circuit in Fig.E)
1000ns
td(off)
100ns
tf
10ns
td(on)
tr
1ns
25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 150°C
Tj, JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load, VCE = 800V,
VGE = +15V/0V, IC = 3A, RG = 82,
dynamic test circuit in Fig.E)
5V
4V
3V max.
typ.
2V
m in.
1V
0V
-50°C
0°C
50°C 100°C 150°C
Tj, JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage
as a function of junction temperature
(IC = 0.09mA)
Power Semiconductors
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Rev. 2, Mar-04

7페이지


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