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AP02N60H 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP02N60H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP02N60H 자료 제공

부품번호 AP02N60H 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP02N60H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP02N60H 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Advanced Power
Electronics Corp.
AP02N60H/J
Pb Free Plating Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low Gate Charge
Repetitive Avalanche Rated
Fast Switching
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant
G
D
S
Description
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-
industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters.
The through-hole version (AP02N60J) is available for low-profile
applications.
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
8Ω
1.6A
G D S TO-252(H)
G
DS
TO-251(J)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
EAR
TSTG
TJ
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Rating
600
±30
1.6
1
6
39
0.31
64
1.6
0.5
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Max.
Max.
Value
3.2
110
Units
/W
/W
200705051-1/4




AP02N60H pdf, 반도체, 판매, 대치품
wwwA.DaPta0Sh2eeNt4U6.c0omH/J
16
I D =1.6A
12
V DS =320V
V DS =400V
V DS =480V
8
4
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
10
1ms
1 10ms
100ms
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1000
C iss
100
C oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4

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