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AP02N60I 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP02N60I은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP02N60I 자료 제공

부품번호 AP02N60I 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP02N60I 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP02N60I 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Advanced Power
Electronics Corp.
AP02N60I
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Repetitive Avalanche Rated
Fast Switching
Simple Drive Requirement
G
D
Description
S
The TO-220CFM package is universally preferred for all commercial-
industrial applications. The device is suited for switch mode power
supplies ,AC-DC converters and high current high speed switching
circuits.
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
8Ω
2A
G
DS
TO-220CFM(I)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
EAR
TSTG
TJ
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Rating
600
± 30
2
1.26
3.6
22
0.176
80
2
2
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Max.
Max.
Value
5.7
62
Unit
/W
/W
Data & specifications subject to change without notice
200117032




AP02N60I pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
AP02N60I
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
25 50 75 100 125 150
T c , Case Temperature ( o C )
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
30
20
10
0
0 50 100 150
Tc, Case Temperature ( o C )
Fig 6. Typical Power Dissipation
10 1
Duty Factor = 0.5
100us
1
1ms
10ms
0.1 100ms
0.01
1
T C =25 o C
Single Pulse
10
100
V DS (V)
1000
10000
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance

4페이지












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