|
|
|
부품번호 | 53NC50 기능 |
|
|
기능 | STE53NC50 | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
www.DataSheet4U.com
STE53NC50
N-CHANNEL 500V - 0.070Ω - 53A ISOTOP
PowerMesh™II MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STE53NC50
500V
< 0.08Ω
53 A
n TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω
n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
n 100% AVALANCHE TESTED
n NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
n GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
ISOTOP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
n HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
n SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
n DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuos) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuos) at TC = 100°C
IDM (l) Drain Current (pulsed)
PTOT
Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Insulation Winthstand Voltage (AC-RMS)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•)Pulse width limited by safe operating area
May 2002
Value
500
500
±30
53
33
212
460
3.68
3
2500
– 65 to 150
150
(1) ISD≤ 53A, di/dt≤100 A/µs, VDD≤ 24V, Tj≤TjMAX
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
V
°C
°C
1/8
STE53NC50
www.DataSheet4U.com
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
4/8
4페이지 www.DataSheet4U.com
STE53NC50
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
MIN.
11.8
8.9
1.95
0.75
12.6
25.15
31.5
4
4.1
14.9
30.1
37.8
4
7.8
ISOTOP MECHANICAL DATA
mm
TYP.
MAX.
12.2
9.1
2.05
0.85
12.8
25.5
31.7
4.3
15.1
30.3
38.2
8.2
MIN.
0.466
0.350
0.076
0.029
0.496
0.990
1.240
0.157
0.161
0.586
1.185
1.488
0.157
0.307
inch
TYP.
G
O
N
A
B
MAX.
0.480
0.358
0.080
0.033
0.503
1.003
1.248
0.169
0.594
1.193
1.503
0.322
J
C
K
L
M
7/8
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ 53NC50.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
53NC50 | STE53NC50 | STMicroelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |