Datasheet.kr   

W10NK60Z 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 W10NK60Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 W10NK60Z 자료 제공

부품번호 W10NK60Z 기능
기능 STW10NK60Z
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


W10NK60Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 19 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

W10NK60Z 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP
STW10NK60Z
N-CHANNEL 600V-0.65-10A - TO220/FP-D²/I²PAK-TO-247
Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
General features
Type
VDSS RDS(on)
STB10NK60Z
STB10NK60Z-1
STP10NK60ZFP
STP10NK60Z
STW10NK60Z
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
<0.75
ID
10 A
10 A
10 A
10 A
10 A
Pw
115
115
35
115
156
s TYPICAL RDS(on) = 0.65
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s GATE CHARGE MINIMIZED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s VERY GOOD MANUFACTURING
REPEABILITY
Description
The SuperMESH™ series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerMESH™ layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Such series complements ST full range of high
voltage MOSFETs including revolutionary
MDmesh™ products.
Applications
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,
ADAPTOR AND PFC
s LIGHTING
Package
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
3
2
1
TO-247
3
1
D²PAK
123
I²PAK
Internal schematic diagram
July 2005
Rev 1
1/19
www.st.com
19




W10NK60Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
2 Electrical characteristics
STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP - STW10NK60Z
www.DataSheet4U.com
2 Electrical characteristics
(TCASE = 25 °C unless otherwise specified)
Table 5. On/Off
Symbol
Parameter
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Drain-Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage Drain
Current (VGS = 0)
Gate Body Leakage Current
(VDS = 0)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On
Resistance
Test Conditions
ID = 250µA, VGS= 0
VDS = Max Rating,
VGS = ±15V, VDS = 0
VDS= VGS, ID = 250 µA
VGS= 10 V, ID= 20 A
Min.
600
3
Typ.
3.75
0.65
Max.
1
50
±10
4.5
0.75
Unit
V
µA
µA
V
Table 6. Dynamic
Symbol
Parameter
Test Conditions
gfs Note 4
Ciss
Coss
Crss
Coss eq.
Note 5
Qg
Qgs
Qgd
Forward Transconductance VDS =15V, ID = 4.5A
Input Capacitance
Output Capacitance
VDS =25V, f=1 MHz, VGS=0
Reverse Transfer Capacitance
Equivalent Ouput Capacitance VGS=0, VDS =0V to 480V
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD=480V, ID = 8A
VGS =10V
(see Figure 19)
Min.
Typ.
7.8
1370
156
37
Max.
Unit
S
pF
pF
pF
90 pF
50 70 nC
10 nC
25 nC
Table 7. Switching on/off
Symbol
Parameter
td(on)
tr
Turn-on Delay Time
Rise Time
td(off)
tf
tr(Voff)
tf
tc
Turn-off Delay Time
Fall Time
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
Test Conditions
VDD=300 V, ID=4A,
RG=4.7Ω, VGS=10V
(see Figure 20)
VDD=300 V, ID=4A,
RG=4.7Ω, VGS=10V
(see Figure 20)
VDD=480 V, ID=8A,
RG=4.7Ω, VGS=10V
(see Figure 20)
Min. Typ. Max. Unit
20 ns
20 ns
55 ns
30 ns
18 ns
18 ns
36 ns
4/19

4페이지










W10NK60Z 전자부품, 판매, 대치품
STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP - STW10NK60Z
2 Electrical characteristics
www.DataSheet4U.com
Figure 7. Output Characteristics
Figure 8. Transfer Characteristics
Figure 9. Transconductance
Figure 10. Static Drain-Source on Resistance
Figure 11. Gate Charge vs Gate -Source
Voltage
Figure 12. Capacitance Variations
7/19

7페이지


구       성 총 19 페이지수
다운로드[ W10NK60Z.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
W10NK60Z

STW10NK60Z

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵