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P55N02LD 데이터시트 PDF




Niko에서 제조한 전자 부품 P55N02LD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P55N02LD 자료 제공

부품번호 P55N02LD 기능
기능 N-Channel Logic Level Enhancement
제조업체 Niko
로고 Niko 로고


P55N02LD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P55N02LD 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
www.DataSheet4U.com
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P55N02LD
TO-252 (DPAK)
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
25 10mΩ
ID
55A
D
G
S
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (1/16” from case for 10 sec.)
VGS
ID
IDM
IAR
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
TL
LIMITS
±20
55
36
140
20
140
5.6
60
38
-55 to 150
275
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
Junction-to-Ambient
RθJA
Case-to-Heatsink
RθCS
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1
TYPICAL
0.7
MAXIMUM
2.5
65
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 20V, VGS = 0V
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
25
1 1.5
3
V
±250 nA
25
µA
250
1 MAY-24-2001





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