Datasheet.kr   

MSAFX40N30A 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 MSAFX40N30A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MSAFX40N30A 자료 제공

부품번호 MSAFX40N30A 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


MSAFX40N30A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MSAFX40N30A 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
MSAFX40N30A
Features
Ultrafast body diode
Rugged polysilicon gate cell structure
Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability
Hermetically sealed, surface mount power package
Low package inductance
Very low thermal resistance
Reverse polarity available upon request
300 Volts
40 Amps
85 m
N-CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)
DESCRIPTION
SYMBOL
MAX.
UNIT
Drain-to-Source Breakdown Voltage (Gate Shorted to Source)
@ TJ 25°C
Drain-to-Gate Breakdown Voltage @ TJ 25°C, RGS= 1 M
Continuous Gate-to-Source Voltage
Transient Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Tj= 25°C
Tj=
100°C
Peak Drain Current, pulse width limited by TJmax
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy
Voltage Rate of Change of the Recovery Diode
@ IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C
Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulse Source Current (Body Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
Mechanical Outline
BVDSS
BVDGR
VGS
VGSM
ID25
ID100
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
Tj
Tstg
IS
ISM
θJC
300
300
+/-20
+/-30
40
30
160
40
30
tbd
5.0
300
-55 to +150
-55 to +150
40
160
0.25
Volts
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Amps
mJ
mJ
V/ns
Watts
°C
°C
Amps
Amps
°C/W
DRAIN
GATE
SOURCE
Datasheet# MSC0304A





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ MSAFX40N30A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MSAFX40N30A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵