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MSAFZ50N10A 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 MSAFZ50N10A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MSAFZ50N10A 자료 제공

부품번호 MSAFZ50N10A 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


MSAFZ50N10A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MSAFZ50N10A 데이터시트, 핀배열, 회로
2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
www.DataSheet4U.com
Features
Ultrafast rectifier in parallel with the body diode (MSAE type only)
Rugged polysilicon gate cell structure
Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability
Hermetically sealed, surface mount power package
Low package inductance
Very low thermal resistance
Reverse polarity available upon request
MSAEZ50N10A
MSAFZ50N10A
100 Volts
50 Amps
35 m
N-CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)
DESCRIPTION
SYMBOL
MAX.
Drain-to-Source Breakdown Voltage (Gate Shorted to Source)
@ TJ 25°C
Drain-to-Gate Breakdown Voltage @ TJ 25°C, RGS= 1 M
Continuous Gate-to-Source Voltage
Transient Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Tj= 25°C
Tj=
100°C
Peak Drain Current, pulse width limited by TJmax
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy
Voltage Rate of Change of the Recovery Diode
@ IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C
Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulse Source Current (Body Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
Mechanical Outline
BVDSS
BVDGR
VGS
VGSM
ID25
ID100
IDM
IAR
EAR
EAS
dv/dt
PD
Tj
Tstg
IS
ISM
θJC
100
100
+/-20
+/-30
50
40
200
50
18.5
400
TBD
300
-55 to +150
-55 to +150
50
200
0.4
DRAIN
UNIT
Volts
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Amps
mJ
mJ
V/ns
Watts
°C
°C
Amps
Amps
°C/W
Datasheet# MSC0299A
GATE
SOURCE





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