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PDF 2SC3110 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3110 | |
| Descripción | Silicon Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
iscwww.DaStaSilhieceto4Un.coNm PN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC3110
DESCRIPTION
·Low Noise
·High Gain
·High Current-Gain Bandwidth Product
APPLICATIONS
·Designed for use in RF wide band low noise amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
12 V
VEBO Emitter-Base Voltage
2.5 V
IC Collector Current-Continuous
30 mA
ICP Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
50 mA
0.2 W
150 ℃
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
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| PDF Descargar | [ Datasheet 2SC3110.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3110 | Silicon Power Transistor | Inchange |
| 2SC3112 | TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER AND SWITCHING APPLICATIONS) |  Toshiba Semiconductor |
| 2SC3113 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
| 2SC3114 | High-VEBO/AF Amp Applications |  Sanyo Semicon Device |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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