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TD162N 데이터시트 PDF




Eupec에서 제조한 전자 부품 TD162N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TD162N 자료 제공

부품번호 TD162N 기능
기능 SCR
제조업체 Eupec
로고 Eupec 로고


TD162N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

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TD162N 데이터시트, 핀배열, 회로
N Datenblatt / Data sheet
PhawsweNwCe.Dtozan-taTtSrhohyelreTits4hUtyo.crroi-smMtoordMulodule
TT162N
TT162N
Kenndaten
TT162N...-K
Elektrische EigenschaftenElektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TD162N
TD162N...-A
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
TC = 85°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
DT162N
VDRM,VRRM 1200
VDSM
VRSM
1200
1300
ITRMSM
1400 V
1600 V
1400 V
1600 V
1500 V
1700 V
260 A
ITAVM
162 A
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
5200 A
4400 A
135000 A²s
97000 A²s
150 A/µs
(dvD/dt)cr
500 V/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: C.Drilling
approved by: J.Novotny
Tvj = Tvj max , iT = 500 A
vT
Tvj = Tvj max
V(TO)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6Tvj = 25 °C,
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
IL
iD, iR
tgd
date of publication: 04.07.02
revision:
1
max. 1,41 V
0,85 V
0,95 m
max. 150 mA
max.
2V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
max. 200 mA
max. 800 mA
max.
max.
30 mA
3 µs
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
A513MT
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TD162N pdf, 반도체, 판매, 대치품
N Datenblatt / Data sheet
PhawsweNwCe.Dtozan-taTtSrhohyelreTits4hUtyo.crroi-smMtoordMulodule
TT162N
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,0094
0,0224
0,0586
0,102
τn [s]
0,0014
0,0253
0,267
Analytische Funktion / Analytical function:
1,68
Snmax
–t
Z thJC =
R thn 1 - e tn
n=1
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
123456
1,71
0,135
0,013
1200
14
4
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
123456
0,515
0,119
0,026
354 13,6 2,41
Analytische Funktion / Analytical function:
Snmax
–t
ZthCA = Rthn 1 - e tn
n=1
7
7
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
A513MT
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TD162N 전자부품, 판매, 대치품
N Datenblatt / Data sheet
PhawsweNwCe.Dtozan-taTtSrhohyelreTits4hUtyo.crroi-smMtoordMulodule
TT162N
140
120
100
80
60
40
20
0
Gehäusetemperatur bei Sinus
0 180°
Q = 30°
60° 90° 120°
180°
20 40 60 80 100 120 140 160 180
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur bei Rechteck
140
120
0 180°
100
80
60
40
20
0
Q = 30°
60° 90° 120°
180°
50 100 150 ITAVM [A] 200
DC
250
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
A513MT
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