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부품번호 | SPI80N03S2L-05 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
www.DataSheet4U.com
OptiMOS® Power-Transistor
Feature
• N-Channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• Excellent Gate Charge x RDS(on)
product (FOM)
• Superior thermal resistance
• 175°C operating temperature
• Avalanche rated
• dv/dt rated
P- TO262 -3-1
SPI80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05,SPB80N03S2L-05
Product Summary
VDS
RDS(on)
ID
30 V
5.2 mΩ
80 A
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Type
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
SPI80N03S2L-05
Package
P- TO220 -3-1
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Ordering Code
Q67042-S4033
Q67042-S4032
Q67042-S4093
Marking
2N03L05
2N03L05
2N03L05
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current 1)
TC=25°C
ID
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=80 A , VDD=25V, RGS=25Ω
Repetitive avalanche energy, limited by Tjmax2)
Reverse diode dv/dt
IS=80A, VDS=24V, di/dt=200A/µs, Tjmax=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
TC=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
ID puls
EAS
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
80
80
320
325
16
6
±20
167
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
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2003-04-24
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1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
parameter: VGS≥ 4 V
SPP80N03S2L-05
180
W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40 60
80 100 120 140 160 °C 190
TC
3 Safe operating area
ID = f ( VDS )
parameter : D = 0 , TC = 25 °C
10 3 SPP80N03S2L-05
A tp = 12.0µs
10 2
100 µs
SPI80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05,SPB80N03S2L-05
2 Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS≥ 10 V
SPP80N03S2L-05
90
A
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
4 Max. transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 SPP80N03S2L-05
K/W
10 0
10 -1
10 1
10 0
10 -1
10 0
1 ms 10 -2
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
10 -3
single pulse
0.02
0.01
10 1 V 10 2
VDS
10 -4
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
s 10 0
tp
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4페이지 www.DataSheet4U.com
13 Typ. avalanche energy
EAS = f (Tj)
par.: ID = 80 A , VDD = 25 V, RGS = 25 Ω
350
mJ
SPI80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05,SPB80N03S2L-05
14 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 40 A pulsed
SPP80N03S2L-05
16
V
250
200
150
100
50
0
25
45
65
85 105 125 145 °C 185
Tj
15 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
parameter: ID=10 mA
SPP80N03S2L-05
36
V
12
10
0,2 VDS max
0,8 VDS max
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 nC 110
QGate
34
33
32
31
30
29
28
27
-60 -20
20
60
100 140 °C 200
Tj
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SPI80N03S2L-03 | OptiMOS Power-Transistor | Infineon Technologies |
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