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부품번호 | SPI80N06S-08 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
www.DataSheet4U.com
SIPMOS® Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
• Avalanche test
P-TO263-3-2
SPB80N06S-08
SPI80N06S-08, SPP80N06S-08
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
7.7 mΩ
80 A
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
• Repetive Avalanche up to
Tjmax = 175 °C
• dv /dt rated
VDD=30 V, ID=80 A, VGS=10 V, RG=2.4 Ω
Type
SPB80N06S-08
SPI80N06S-08
SPP80N06S-08
Package
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Ordering Code Marking
Q670T6C0=-S2651°8C5, V GS1=N10060V8
Q670T6C0=-S160108°7C, V 1GSN=016008V
Q67060-S6186 1N0608
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current1)
I D T C=25 °C, V GS=10 V
80 A
T C=100 °C, V GS=10 V
Pulsed drain current2)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E AS
I D=80 A, R GS=25 Ω,
V DD=25 V
Avalanche energy, periodic2)
E AR T j≤175 °C
Reverse diode dv /dt 2)
dv /dt
I D=80 A, V DS=40 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=175 °C
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Rev. 1.0
page 1
80
320
700 mJ
30
6 kV/µs
±20
300
-55 ... +175
55/175/56
V
W
°C
2004-11-30
www.DataSheet4U.com
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
350
300
250
200
150
100
50
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
1000
150
SPB80N06S-08
SPI80N06S-08, SPP80N06S-08
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
100
80
60
40
20
0
200 0
50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
200
100
limited by on-state
resistance
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
10
100
0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
1
0.1
Rev. 1.0
1 10
V DS [V]
10-3
100
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
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2004-11-30
4페이지 www.DataSheet4U.com
13 Typ. Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
150 °C
100 °C
25 °C
SPB80N06S-08
SPI80N06S-08, SPP80N06S-08
14 Typ. Avalanche Energy
E AS=f(T j); VDD = 25 V; RGS=25 Ω
parameter: I D
800
80 A
700
600
500
10 400
300
200
100
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=80 A pulsed
parameter: V DD
12
1000
0
0
50 100 150
T j [°C]
16 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
200
64
11 V
44 V
62
10
60
8
58
6
56
4
54
2 52
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Q gate [nC]
50
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.0
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
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SPI80N06S-08 | Power-Transistor | Infineon Technologies |
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