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부품번호 | BUZ901 기능 |
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기능 | (BUZ900 / BUZ901) N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
제조업체 | Magna | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
MAGNAwww.DataSheet4U.com
TEC
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
25.0
+0.1
-0.15
10.90 ± 0.1
8.7 Max.
1.50
Typ.
11.60
± 0.3
BUZ900
BUZ901
N–CHANNEL
POWER MOSFET
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
12
R 4.0 ± 0.1
R 4.4 ± 0.2
Pin 1 – Gate
TO–3
Pin 2 – Drain
Case – Source
FEATURES
• HIGH SPEED SWITCHING
• N–CHANNEL POWER MOSFET
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
• HIGH ENERGY RATING
• ENHANCEMENT MODE
• INTEGRAL PROTECTION DIODE
• P–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS
BUZ905 & BUZ906
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VDSX
Drain – Source Voltage
VGSS
Gate – Source Voltage
ID Continuous Drain Current
ID(PK)
Body Drain Diode
PD
Total Power Dissipation
@ Tcase = 25°C
Tstg Storage Temperature Range
Tj Maximum Operating Junction Temperature
RθJC
Thermal Resistance Junction – Case
BUZ900
160V
BUZ901
200V
±14V
8A
8A
125W
–55 to 150°C
150°C
1°C/W
Magnatec. Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 10/94
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ90 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ900 | (BUZ900 / BUZ901) N-CHANNEL POWER MOSFET | Magna |
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