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AP01N60P 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP01N60P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP01N60P 자료 제공

부품번호 AP01N60P 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP01N60P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP01N60P 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Advanced Power
Electronics Corp.
AP01N60P
Pb Free Plating Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Fast Switching
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant
GD
S
TO-220
Description
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-
industrial applications. The device is suited for DC-DC ,DC-AC
converters for telecom, industrial and consumer environment.
BVDSS
RDS(ON)
ID
G
600V
8Ω
1.6A
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
EAR
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Rating
600
±30
1.6
1
6
39
0.31
13
1.6
0.5
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Max.
Max.
Value
3.2
62
Units
/W
/W
200705051-1/4




AP01N60P pdf, 반도체, 판매, 대치품
wwwA.DaPta0Sh1eeNt4U6.c0omP
16
I D =1.6A
12 V DS =480V
8
4
0
0 2 4 6 8 10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
10
1
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
10us
100us
1ms
10ms
100ms
0.01
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
f=1.0MHz
1000
C iss
100
C oss
10
C rss
1
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4/4

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