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STP6NC60FP 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STP6NC60FP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP6NC60FP 자료 제공

부품번호 STP6NC60FP 기능
기능 N-CHANNEL Power MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STP6NC60FP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP6NC60FP 데이터시트, 핀배열, 회로
STP6NC60 - STP6NC60FP
STB6NC60-1
N-CHANNEL 600V - 1- 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK
PowerMESH™II MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STP(B)6NC60(-1) 600 V < 1.2
6A
STP6NC60FP
600 V < 1.2
6A
s TYPICAL RDS(on) = 1.0
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESHII is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES
TO-220
3
2
1
TO-220FP
123
I2PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuos) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuos) at TC = 100°C
IDM (q) Drain Current (pulsed)
PTOT
Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•)Pulse width limited by safe operating area
(*) Limited only by maximum temperature allowed
May 2001
Value
STP(B)6NC60(-1) STP6NC60FP
600
600
±30
6 6(*)
3.8 3.8(*)
24 24(*)
125 40
1.0 0.32
3
- 2500
–65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
V
°C
°C
(1)ISD 6A, di/dt 100A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX.
1/10




STP6NC60FP pdf, 반도체, 판매, 대치품
STP6NC60/FP/STB6NC60-1
Thermal Impedence for TO-220/I2PAK
Thermal Impedence for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/10

4페이지










STP6NC60FP 전자부품, 판매, 대치품
STP6NC60/FP/STB6NC60-1
DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/10

7페이지


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