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부품번호 | 2SJ598 기능 |
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기능 | MOS Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Guangdong Kexin Industrial | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SMD Type
www.datasheet4u.com
MOS Field Effect Transistor
2SJ598
MOSFICET
Features
Low on-resistance
RDS(on)1 = 130 m MAX. (VGS =-10 V, ID = -6 A)
RDS(on)2 = 190 m MAX. (VGS = -4.0 V, ID =-6 A)
Low Ciss: Ciss = 720 pF TYP.
Built-in gate protection diode
TO-252
6.50+0.15
-0.15
5.30+0.2
-0.2
2.30+0.1
-0.1
0.50+0.8
-0.7
Unit: mm
0.80+0.1
-0.1
0.127
max
2.3
4.60+0.15
-0.15
0.60+0.1
-0.1
1 Gate
2 Drain
3 Source
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current (DC)
Drain current(pulse) *
Power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
* PW 10 s, duty cycle 1 %
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID
PD
Tch
Tstg
Rating
-60
20
12
30
23
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
www.kexin.com.cn 1
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ590 | DC / DC Converter Applications | Sanyo Semicon Device |
2SJ590LS | DC / DC Converter Applications | Sanyo Semicon Device |
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