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부품번호 | M8JZ47 기능 |
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기능 | SM8JZ47 | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
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전체 5 페이지수
SM8GZ47,SM8JZ47,SM8GZ47A,SM8JZ47A
www.DataSheet4U.TcOomSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SM8GZ47,SM8JZ47,SM8GZ47A,SM8JZ47A
AC POWER CONTROL APPLICATIONS
Unit: mm
l Repetitive Peak Off−State Voltage
l R.M.S ON−State Current
l High Commutating (dv / dt)
l Isolation Voltage
: VDRM = 400, 600V
: IT (RMS) = 8A
: VISOL = 1500V AC
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak
Off−State Voltage
SM8GZ47
SM8GZ47A
SM8JZ47
SM8JZ47A
R.M.S On−State Current
(Full Sine Waveform Tc = 83°C)
Peak One Cycle Surge On-State
Current (Non−Repetitive)
I2t Limit Value
Critical Rate of Rise of On−State
Current
(Note 1)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage (AC, t = 1min.)
SYMBOL
VDRM
IT (RMS)
ITSM
I2t
di / dt
PGM
PG (AV)
VGM
IGM
Tj
Tstg
VISOL
RATING
400
600
8
80 (50Hz)
88 (60Hz)
32
50
5
0.5
10
2
−40~125
−40~125
1500
UNIT
V
A
A
A2s
A / µs
W
W
V
A
°C
°C
V
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.7g
―
―
13−10H1A
Note 1: di / dt Test Condition
VDRM = 0.5×Rated
ITM ≤ 12A
tgw ≥ 10µs
tgr ≤ 250ns
iGP = IGT×2.0
1 2001-07-13
www.DataSheet4U.com
SM8GZ47,SM8JZ47,SM8GZ47A,SM8JZ47A
4 2001-07-13
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
M8JZ47 | SM8JZ47 | Toshiba Semiconductor |
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