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PESD5V0S1UJ 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PESD5V0S1UJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PESD5V0S1UJ 자료 제공

부품번호 PESD5V0S1UJ 기능
기능 (PESD5V0S1UJ / PESD12VS1UJ) Unidirectional ESD Protection
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PESD5V0S1UJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PESD5V0S1UJ 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage
suppression
Rev. 01 — 3 June 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Unidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in a very small
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect one signal line
from the damage caused by ESD and transient overvoltage.
Table 1. Product overview
Type number
Package
NXP
PESD5V0S1UJ
SOD323F
PESD12VS1UJ
JEITA
SC-90
Configuration
single
1.2 Features
I Transient Voltage Suppression (TVS)
protection of one line
I Max. peak pulse power: PPP = 890 W
I Low clamping voltage: VCL = 19 V
I Low leakage current: IRM = 300 nA
I ESD protection up to 30 kV
I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 47 A
I AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
I Computers and peripherals
I Audio and video equipment
I Cellular handsets and accessories
I Communication systems
I Portable electronics
I Medical and industrial equipment
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
VRWM
reverse standoff voltage
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
Cd diode capacitance
PESD5V0S1UJ
f = 1 MHz; VR = 0 V
PESD12VS1UJ
Min Typ Max Unit
- - 5V
- - 12 V
- 480 530 pF
- 160 180 pF




PESD5V0S1UJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
w w wN. XDPa tSaeSmh ieceotn4dUu.cctoo rms
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
120
IPP
(%)
80
40
100 % IPP; 8 µs
001aaa630
et
50 % IPP; 20 µs
0
0 10 20 30 40
t (µs)
Fig 1. 8/20 µs pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
IPP
100 %
90 %
001aaa631
10 %
tr = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
Fig 2. ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
t
6. Thermal characteristics
Table 9.
Symbol
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 290 K/W
[2] - - 170 K/W
[3] - - 35 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
[3] Soldering point of cathode tab.
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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PESD5V0S1UJ 전자부품, 판매, 대치품
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PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
I
VCL VBR VRWM
+
P-N
IRM
IR
V
IPP
006aaa407
Fig 7. V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
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