Datasheet.kr   

STP10NM60N 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STP10NM60N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP10NM60N 자료 제공

부품번호 STP10NM60N 기능
기능 Power MOSFETs
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STP10NM60N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 28 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STP10NM60N 데이터시트, 핀배열, 회로
STD10NM60N, STF10NM60N,
STP10NM60N, STU10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh™ II Power MOSFET
in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
Datasheet - production data
7$%


DPAK
7$%



TO-220



TO-220FP
7$%
IPAK



Features
Order code
VDS @TJ
max.
STD10NM60N
STF10NM60N
STP10NM60N
STU10NM60N
650 V
RDS(on)
max.
0.55
ID PTOT
10 A
70 W
25 W
70 W
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Figure 1. Internal schematic diagram
Applications
' 7$%
Switching applications
Description
* 
6 
Order code
These devices are N-channel Power MOSFETs
developed using the second generation of
MDmesh™ technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
$0Y
Table 1. Device summary
Marking
Package
Packing
STD10NM60N
STF10NM60N
STP10NM60N
STU10NM60N
10NM60N
10NM60N
10NM60N
10NM60N
DPAK
TO-220FP
TO-220
IPAK
Tape and reel
Tube
Tube
Tube
December 2015
This is information on a product in full production.
DocID028726 Rev 1
1/28
www.st.com




STP10NM60N pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STD10NM60N, STF10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N
2 Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Table 5. On/off-states
Test conditions
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Drain-source
breakdown voltage
ID = 1 mA, VGS = 0
ID = 1 mA, VGS = 0,
TC = 150 °C
Zero-gate voltage
VDS = 600 V
drain current (VGS = 0) VDS = 600 V, TC = 125 °C
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ± 25 V
Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 µA
Static drain-source on-
resistance
VGS = 10 V, ID = 4 A
Min.
600
Typ.
650
Max. Unit
V
1
µA
100
± 100 nA
2 3 4V
0.53 0.55
Table 6. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 50 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
- 540 - pF
- 44 - pF
- 1.2 - pF
Equivalent
Coss
(1)
eq
capacitance time
related
VDS = 0 to 480 V, VGS = 0
- 110 - pF
Rg Gate input resistance f=1 MHz open drain
- 6 -Ω
Qg Total gate charge
VDD = 480 V, ID = 8 A,
Qgs Gate-source charge VGS = 10 V
Qgd Gate-drain charge
(see Figure 17)
- 19 - nC
- 3 - nC
- 10 - nC
1. Coss eq. time related is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as Coss
when VDS increases from 0 to 80% VDSS.
4/28 DocID028726 Rev 1

4페이지










STP10NM60N 전자부품, 판매, 대치품
STD10NM60N, STF10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N
Electrical characteristics
Figure 8. Output characteristics
,'
$ 9*6 9


$0Y
9



9

Figure 9. Transfer characteristics
,'
$

9'6 9

$0Y





9

       9'6 9


      9*6 9
Figure 10. Normalized VDS vs. temperature
9'6
QRUP

,' P$
$0Y









       7- ƒ&
Figure 11. Static drain-source on-resistance
5'6 RQ
:
$0Y




9*6 9

     ,' $
Figure 12. Gate charge vs. gate-source voltage
9*6
9

 9'6
9'' 9
,' $
$0Y







 
 4J Q&
Figure 13. Capacitance variations
&
S)
$0Y

&LVV



 
&RVV
&UVV
  9'6 9
DocID028726 Rev 1
7/28
28

7페이지


구       성 총 28 페이지수
다운로드[ STP10NM60N.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STP10NM60N

Power MOSFETs

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵