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BLS6G2731-120 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLS6G2731-120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLS6G2731-120 자료 제공

부품번호 BLS6G2731-120 기능
기능 LDMOS S-band Radar Power Transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLS6G2731-120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BLS6G2731-120 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
BLS6G2731-120;
BLS6G2731S-120
LDMOS S-band radar power transistor
Rev. 01 — 14 November 2008
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz
range.
Table 1. Typical performance
Typical RF performance at Tcase = 25 °C; tp = 100 µs; δ = 10 %; IDq = 100 mA; in a class-AB
production test circuit.
Mode of operation
f
(GHz)
VDS PL
(V) (W)
Gp ηD
(dB) (%)
tr
(ns)
tf
(ns)
pulsed RF
2.7 to 3.1 32 120
13.5 48
20
6
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
1.2 Features
I Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage
of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 µs with δ of 10 %:
N Output power = 120 W
N Power gain = 13.5 dB
N Efficiency = 48 %
I Easy power control
I Integrated ESD protection
I High flexibility with respect to pulse formats
I Excellent ruggedness
I High efficiency
I Excellent thermal stability
I Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)
I Internally matched for ease of use
I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances
(RoHS)




BLS6G2731-120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DNatXaSPheSete4Um.coicmonductors
BLS6G2731-120; BLS6G2731S-120
LDMOS S-band radar power transistor
Table 8.
f
GHz
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
Typical impedance
ZS
3.4 j7.2
3.8 j5.9
4.7 j4.8
6.3 j4.1
8.8 j4.9
ZL
4.6 j4.4
3.8 j4.6
3.0 j4.6
2.3 j4.3
1.8 j3.9
gate
ZS
drain
ZL
001aaf059
Fig 1. Definition of transistor impedance
7.1 Ruggedness in class-AB operation
The BLS6G2731-120 and BLS6G2731S-120 are capable of withstanding a load
mismatch corresponding to VSWR = 5 : 1 through all phases under the following
conditions: VDS = 32 V; IDq = 100 mA; PL = 120 W; tp = 100 µs; δ = 10 %.
BLS6G2731-120_6G2731S-120_1
Product data sheet
Rev. 01 — 14 November 2008
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
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BLS6G2731-120 전자부품, 판매, 대치품
www.DNatXaSPheSete4Um.coicmonductors
8. Test information
BLS6G2731-120; BLS6G2731S-120
LDMOS S-band radar power transistor
C3 C7
C5 C6
C4
R1
C8
C9 C11
C10
C12
C13
C1 C2
Rev3
001aaj099
Striplines are on a double copper-clad Duroid 6006 Printed-Circuit Board (PCB) with εr = 6.15 and thickness = 0.64 mm.
See Table 9 for list of components.
Fig 10. Component layout for 2700 MHz to 3100 MHz test circuit
Table 9. List of components
See Figure 10.
Component
Description
Value
C1, C2
multilayer ceramic chip capacitor 24 pF
C3 multilayer ceramic chip capacitor 47 µF; 20 V
C4, C6, C9, C10
multilayer ceramic chip capacitor 33 pF
C5, C11
multilayer ceramic chip capacitor 1 nF
C7, C8
multilayer ceramic chip capacitor 100 pF
C12
electrolytic capacitor
47 µF; 63 V
C13 multilayer ceramic chip capacitor 10 µF; 35 V
R1
SMD resistor
56
Remarks
ATC 100A or equivalent
ATC 100A or equivalent
ATC 100A or equivalent
ATC 100B or equivalent
SMD 0603
BLS6G2731-120_6G2731S-120_1
Product data sheet
Rev. 01 — 14 November 2008
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
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