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부품번호 | MSAGZ52F120A 기능 |
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기능 | N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | ||
제조업체 | Microsemi Corporation | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
MSAGZ52F120A
MSAHZ52F120A
Features
• Rugged polysilicon gate cell structure
• high current handling capability, latch-proof
• Hermetically sealed, surface mount power package
• Low package inductance
• Very low thermal resistance
• Reverse polarity available upon request: MSAH(G)Z52F120B
• high frequency IGBT, low switching losses
• anti-parallel FREDiode (MSAHZ52F120A only)
1200 Volts
52 Amps
3.2 Volts vce(sat)
N-CHANNEL
INSULATED GATE
BIPOLAR TRANSISTOR
Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)
DESCRIPTION
SYMBOL
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage (Gate Shorted to Emitter)
@ TJ ≥ 25°C
Collector-to-Gate Breakdown Voltage @ TJ ≥ 25°C, RGS= 1 MΩ
Continuous Gate-to-Emitter Voltage
Transient Gate-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
90°C
Tj= 25°C
Tj=
Peak Collector Current (pulse width limited by Tjmax,)
90°C
Tj= 25°C
Tj=
Avalanche energy (single pulse) @ IC= 25A, VCC= 50V, L= 200µH,
RG= 25Ω, Tj= 25°C
Short circuit current (SOA) , VCE≤ 1200V, TJ= 150°C, tsc≤ 10µs
Short circuit (reverse) current (RBSOA) , VCE≤ 1200V, TJ= 150°C
Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode, MSAHZ52F120A only)
Pulse Source Current (Body Diode, MSAHZ52F120A only)
Thermal Resistance, Junction to Case
Mechanical Outline
BVCES
BVCGR
VGES
VGEM
IC25
IC90
ICM(25)
ICM(90)
EAS
IC(sc)
IC(sc)RBSOA
PD
Tj
Tstg
IS
ISM
θJC
MAX.
1200
1200
+/-20
+/-30
52
33
104
66
65
260
66
300
-55 to +150
-55 to +150
50
100
0.4
COLLECTOR
UNIT
Volts
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
mJ
A
A
Watts
°C
°C
Amps
Amps
°C/W
EMITTER (MS…A)
GATE (MS…B)
Datasheet# MSC0295A
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MSAGZ52F120A | N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | Microsemi Corporation |
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