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STGD10NC60H 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STGD10NC60H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STGD10NC60H 자료 제공

부품번호 STGD10NC60H 기능
기능 N-channel IGBT
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STGD10NC60H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 14 페이지수

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STGD10NC60H 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STGD10NC60H
N-channel 10A - 600V - DPAK
Very fast PowerMESH™ IGBT
Features
Type
VCES
VCE(sat)
(Max)@ 25°C
IC
@100°C
STGD10NC60H 600V
< 2.5V
10A
Low on-voltage drop (Vcesat)
Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction
susceptibility)
Description
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESHIGBTs, with outstanding
performances. The suffix "H" identifies a family
optimized for high frequency applications in order
to achieve very high switching performances
(reduced tfall) manta in ing a low voltage drop.
Applications
High frequency motor controls
SMPS and PFC in both hard switch and
resonant topologies
Motor drivers
3
1
DPAK
Internal schematic diagram
Order code
Part number
STGD10NC60H
Marking
GD10NC60H
Package
DPAK
Packaging
Tape & reel
April 2007
Rev 1
1/14
www.st.com
14




STGD10NC60H pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSEhleeect4tUri.ccoaml characteristics
2 Electrical characteristics
STGD10NC60H
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 3. Static
Symbol
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
VBR(CES)
Collector-emitter
breakdown voltage
IC= 1mA, VGE= 0
600
V
ICES
Collector cut-off current
(VGE = 0)
VCE= Max rating,TC= 25°C
VCE=Max rating,TC= 125°C
150 µA
1 mA
IGES
Gate-emitter leakage
current (VCE = 0)
VGE= ±20V, VCE= 0
±100 nA
VGE(th) Gate threshold voltage
VCE= VGE, IC= 250 µA
3.75
5.75 V
VCE(sat)
Collector-emitter saturation
voltage
VGE= 15V, IC= 5A
VGE= 15V, IC= 5A, Tc= 125°C
1.9 2.5
1.7
V
V
gfs Forward transconductance VCE = 15V, IC= 5A
3.5 S
Table 4. Dynamic
Symbol
Parameter
Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-emitter charge
Gate-collector charge
Test conditions
VCE = 25V, f = 1MHz,
VGE = 0
VCE = 390V, IC = 5A,
VGE = 15V,
(see Figure 16)
Min. Typ. Max. Unit
365 pF
43 pF
8.3 pF
19.2 nC
4.5 nC
7 nC
4/14

4페이지










STGD10NC60H 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSShTeeGt4DU1.c0oNmC60H
Electrical characteristics
Figure 7. Normalized gate threshold voltage Figure 8. Collector-emitter on voltage vs
vs temperature
collector current
Figure 9. Normalized breakdown voltage vs Figure 10. Switching losses vs temperature
temperature
Figure 11. Switching losses vs gate resistance Figure 12. Switching losses vs collector
current
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7페이지


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