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BUK9623-75A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK9623-75A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUK9623-75A 자료 제공

부품번호 BUK9623-75A 기능
기능 logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK9623-75A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUK9623-75A 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
BUK9523-75A; BUK9623-75A
TrenchMOS™ logic level FET
Rev. 01 — 10 October 2000
Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK9523-75A in SOT78 (TO-220AB)
BUK9623-75A in SOT404 (D 2-PAK).
2. Features
s TrenchMOS™ technology
s Q101 compliant
s 175 °C rated
s Logic level compatible.
3. Applications
s Automotive and general purpose power switching:
c
c x 12 V, 24 V and 42 V loads
x Motors, lamps and solenoids.
4. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, simplified outline and symbol
Pin Description
Simplified outline
1 gate (g)
2 drain (d)
mb mb
3 source (s)
mb mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
123
SOT78 (TO-220AB)
2
1 3 MBK116
SOT404 (D2-PAK)
Symbol
d
g
MBB076
s




BUK9623-75A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
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BUK9523-75A; BUK9623-75A
TrenchMOS™ logic level FET
7. Thermal characteristics
Table 4: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
vertical in still air; SOT78 package
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT404
package
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting Figure 4
base
7.1 Transient thermal impedance
Value
60
50
Unit
K/W
K/W
1.1 K/W
10
Zth(j-mb)
(K/W)
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
Single Shot
0.001
10-6
10-5
10-4
10-3
03nb24
10-2
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
10-1 tp (s)
1
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
9397 750 07582
Product specification
Rev. 01 — 10 October 2000
© Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
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BUK9623-75A 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
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BUK9523-75A; BUK9623-75A
TrenchMOS™ logic level FET
2.5
VGS(th)
(V)
2
1.5
1
max
typ
min
03na17
0.5
0
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj (oC)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
10-1
ID
(A) 10-2
03aa36
10-3
10-4
min typ max
10-5
10-6
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
VGS (V)
Tj = 25 °C; VDS = VGS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
60
gfs
(S)
03nb13
6000
C (pF)
03nb18
50 5000
40 4000
30
20
10
0
0 20 40 60 ID (A) 80
Tj = 25 °C; VDS = 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
3000
2000
Ciss
1000
Coss
0 Crss
0.01 0.1 1 10 VDS(V) 100
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
9397 750 07582
Product specification
Rev. 01 — 10 October 2000
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