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부품번호 | HFP50N06 기능 |
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기능 | 60V N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | SemiHow | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
July 2005
HFP50N06
60V N-Channel MOSFET
BVDSS = 60 V
RDS(on) = 22 mΩ
ID = 50 A
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) : 0.018 Ω (Typ.) @VGS=10V
100% Avalanche Tested
TO-220
1
23
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25℃)
– Continuous (TC = 100℃)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
60
50
35.4
200
±25
490
50
12
7.0
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25℃)
- Derate above 25℃
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
120
0.8
-55 to +175
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Junction-to-Case
Parameter
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.24
--
62.5
Units
℃/W
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2005
www.DataSheet4U.com
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [℃]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
100
D =0.5
0 .2
1 0 -1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
1 0 -2
1 0 -5
sin g le p u lse
※ N otes :
1 . Z θ JC( t) = 1 . 2 4 ℃ / W M a x .
2 . D u ty F a cto r, D = t1/t2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C( t )
PDM
t1t2
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [se c]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2005
4페이지 www.DataSheet4U.com
Package Dimension
TO-220 (A)
9.90±0.20
φ3.60±0.20
4.50±0.20
1.30±0.20
1.27±0.20
1.52±0.20
2.54typ
2.54typ
2.40±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
◎ SEMIHOW REV.A0,July 2005
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
HFP50N06 | 60V N-Channel MOSFET | SemiHow |
HFP50N06 | N-Channel MOSFET | Shantou Huashan |
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