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부품번호 | BUH315D 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUH315D
DESCRIPTION
·High Switching Speed
·High Voltage
·Built-in Integrated Diode
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s
and monitors.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
1500
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
700 V
VEBO Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current-Continuous
6A
ICM Collector Current-Peak
12 A
IBB Base Current
3A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
5
44
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 2.8 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUH315 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST Microelectronics |
BUH315 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
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