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STP140N10F4 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STP140N10F4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP140N10F4 자료 제공

부품번호 STP140N10F4 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STP140N10F4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP140N10F4 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STB140N10F4, STF140N10F4
STP140N10F4
N-channel 100 V, 5.2 m, 60 A TO-220, D2PAK, TO-220FP
STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET
Preliminary Data
Features
Type
STB140N10F4
STF140N10F4
STP140N10F4
VDSS
100 V
100 V
100 V
RDS(on) max
< 6.5 m
< 6.5 m
< 6.5 m
ID
140 A
55 A
140 A
Exceptional dv/dt capability
Extremely low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
Application
Switching applications
Description
This Power MOSFET is among the latest
developments that use an advanced technology
(STripFET™ DeepGATE™ technology), which
has been especially tailored to minimize on-state
resistance, provide superior switching
performance and withstand high energy pulse in
avalanche and commutation mode. The resulting
transistor shows extremely high packing density
for low on-resistance, rugged avalanche
characteristics and less critical alignment steps
therefore a remarkable manufacturing
reproducibility.
3
2
1
TO-220FP
3
2
1
TO-220
3
1
D²PAK
Figure 1. Internal schematic diagram
Table 1. Device summary
Order codes
STB140N10F4
STF140N10F4
STP140N10F4
Marking
140N10F4
140N10F4
140N10F4
Package
D²PAK
TO-220FP
TO-220
Packaging
Tape and reel
Tube
Tube
January 2009
Rev 1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
1/13
www.st.com
13




STP140N10F4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSEhleeect4tUri.ccoaml characteristics
STB140N10F4, STF140N10F4, STP140N10F4
2 Electrical characteristics
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Symbol
On/off states
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Drain-source
V(BR)DSS Breakdown voltage
IDSS
Zero gate voltage
Drain current (VGS = 0)
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
ID = 250 µA, VGS = 0
100
VDS = max rating
VDS = max rating,TC=125 °C
VGS = ± 20 V
VDS = VGS, ID = 250 µA
2
VGS = 10 V, ID = 30 A
5.2
V
1 µA
100 µA
100 nA
4V
6.5 m
Table 5.
Symbol
Dynamic
Parameter
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
Table 6. Switching times
Symbol
Parameter
VDS = 25 V, f = 1 MHz,
VGS = 0
VDD = 80 V, ID = 60 A,
VGS = 10 V
(see Figure 3)
8980
750
300
140
TBD
TBD
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
td(on)
tr
Turn-on delay time
Rise time
td(off)
tf
Turn-off-delay time
Fall time
VDD = 50 V, ID = 30 A
RG = 4.7 VGS = 10 V
(see Figure 2)
VDD = 50 V, ID = 30 A,
RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V
(see Figure 2)
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
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STP140N10F4 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSShTeeBt41U4.0coNm10F4, STF140N10F4, STP140N10F4
4 Package mechanical data
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of
ECOPACK® packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK®
specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com.
ECOPACK® is an ST trademark.
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