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PBLS6023D 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBLS6023D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBLS6023D 자료 제공

부품번호 PBLS6023D 기능
기능 1.5 A PNP BISS Loadswitch
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBLS6023D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBLS6023D 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PBLS6023D
60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch
Rev. 01 — 13 August 2009
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-
Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD)
plastic package.
1.2 Features
I Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
I Low threshold voltage (<1 V) compared to MOSFET
I Space-saving solution
I Reduction of component count
I AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
I Supply line switches
I Battery charger switches
I High-side switches for LEDs, drivers and backlights
I Portable equipment
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
TR1; PNP low VCEsat transistor
VCEO
collector-emitter voltage open base
IC collector current
ICM
peak collector current
single pulse;
tp 1 ms
RCEsat
collector-emitter saturation IC = 1.5 A;
resistance
IB = 100 mA
TR2; NPN resistor-equipped transistor
-
-
-
[1] -
- 60 V
- 1.5 A
- 3 A
110 175 m
VCEO
IO
R1
collector-emitter voltage
output current
bias resistor 1 (input)
open base
- - 50 V
- - 100 mA
7 10 13 k
R2/R1
bias resistor ratio
0.8 1
1.2
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.




PBLS6023D pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DNatXaSPheSete4Um.coicmonductors
PBLS6023D
60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch
1000
Ptot
(mW)
800
600
400
(1)
(2)
(3)
006aab507
200
0
75
25
25
75
(1) Ceramic PCB, Al2O3, standard footprint
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1. Per device: Power derating curves
125 175
Tamb (°C)
6. Thermal characteristics
Table 6. Thermal characteristics
Symbol Parameter
Per device
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
in free air
Rth(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
Min Typ Max Unit
[1] - - 260 K/W
[2] - - 211 K/W
[3] - - 165 K/W
- - 100 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
[3] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint.
PBLS6023D_1
Product data sheet
Rev. 01 — 13 August 2009
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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PBLS6023D 전자부품, 판매, 대치품
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PBLS6023D
60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch
Table 7. Characteristics …continued
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
VBEon
base-emitter
turn-on voltage
VCE = 10 V; IC = 1 A
td delay time
tr rise time
ton turn-on time
VCC = 10 V; IC = 1 A;
IBon = 50 mA;
IBoff = 50 mA
ts storage time
tf fall time
toff turn-off time
fT transition frequency IC = 50 mA; VCE = 10 V;
f = 100 MHz
Cc collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A;
f = 1 MHz
TR2; NPN resistor-equipped transistor
ICBO
collector-base cut-off VCB = 50 V; IE = 0 A
current
ICEO
IEBO
collector-emitter
cut-off current
emitter-base cut-off
current
VCE = 30 V; IB = 0 A
VCE = 30 V; IB = 0 A;
Tj = 150 °C
VEB = 5 V; IC = 0 A
hFE
VCEsat
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
VCE = 5 V; IC = 5 mA
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
VI(off)
VI(on)
R1
off-state input voltage
on-state input voltage
bias resistor 1 (input)
VCE = 5 V; IC = 100 µA
VCE = 0.3 V; IC = 10 mA
R2/R1
bias resistor ratio
Cc collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A;
f = 1 MHz
Min
[1] -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
2.5
7
0.8
-
Typ Max Unit
0.75 1.1 V
17 -
38 -
55 -
350 -
65 -
415 -
150 -
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MHz
30 -
pF
- 100 nA
- 1 µA
- 50 µA
- 400 µA
--
- 150 mV
1.1 0.8 V
1.8 -
V
10 13 k
1 1.2
- 2.5 pF
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.
PBLS6023D_1
Product data sheet
Rev. 01 — 13 August 2009
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