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부품번호 | 2SD961 기능 |
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기능 | Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD961
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)= 0.5V(Max)@IC= 4A
·Complement to Type 2SB869
APPLICATIONS
·Designed for power switching applications.
i.cnABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
.iscsemSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
130 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
10 A
40 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SD960 | Silicon NPN Transistor | Inchange Semiconductor |
2SD960 | SI NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA | Panasonic Semiconductor |
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