Datasheet.kr   

FDD8647L 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD8647L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDD8647L 자료 제공

부품번호 FDD8647L 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDD8647L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FDD8647L 데이터시트, 핀배열, 회로
FDD8647L
N-Channel PowerTrench® MOSFET
40 V, 42 A, 9 m
December 2008
Features
General Description
„ Max rDS(on) = 9 mat VGS = 10 V, ID = 13 A
„ Max rDS(on) = 13 mat VGS = 4.5 V, ID = 11 A
„ Fast Switching
This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild
Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to
deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer
superior performance benefit in the application.
„ 100% UIL tested
„ RoHS Compliant
Applications
„ Inverter
„ Power Supplies
D
G
S
D
DT O- P-2A5K2
(TO-252)
G
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted
www.DataSheetS4Uym.cbomol
VDS
VGS
ID
EAS
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
-Pulsed
TC = 25 °C
TC = 25 °C
TA = 25 °C
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
TC = 25 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
Ratings
40
±20
42
52
14
100
33
43
3.1
-55 to +150
Units
V
V
A
mJ
W
°C
RθJC
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Package Marking and Ordering Information
(Note 1a)
2.9
40
°C/W
Device Marking
FDD8647L
Device
FDD8647L
Package
D-PAK (TO-252)
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8647L Rev.C
1
www.fairchildsemi.com




FDD8647L pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted
10
ID = 13 A
8
6
VDD = 20 V
VDD = 15 V
VDD = 25 V
4
2
0
0 5 10 15 20
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
3000
1000
Ciss
Coss
100
f = 1 MHz
Crss
VGS = 0 V
10
0.1 1 10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
Figure8. CapacitancevsDrain
to Source Voltage
100
42
10 TJ = 25 oC
TJ = 125 oC
1
0.001
0.01 0.1 1 10
tAV, TIME IN AVALANCHE (ms)
www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive
Switching Capability
100
200
100
10 100 us
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS(on)
1
0.1
0.1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
RθJC = 2.9 oC/W
TC = 25 oC
1 10
1 ms
10 ms
100 ms
DC
100 200
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
60
50
40
30
20
10
0
25
Limited by Package
VGS = 10 V
VGS = 4.5 V
RθJC = 2.9 oC/W
50 75 100 125
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
150
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
105
VGS = 10 V
104
103
102
SINGLE PULSE
RθJC = 2.9 oC/W
TC = 25 oC
10
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
t, PULSE WIDTH (sec)
10-1
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8647L Rev.C
4
www.fairchildsemi.com

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ FDD8647L.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDD8647L

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵