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5SMX12M1273 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SMX12M1273은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SMX12M1273 자료 제공

부품번호 5SMX12M1273 기능
기능 IGBT-Die
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SMX12M1273 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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5SMX12M1273 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
1200 V
150 A
IGBT-Die
5SMX 12M1273
Die size: 13.6 x 13.6 mm
Low loss thin IGBT die
Highly rugged SPT design
Large bondable emitter area
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
Collector-emitter voltage
VCES VGE = 0 V, Tvj 25 °C
DC collector current
IC
Peak collector current
ICM Limited by Tvjmax
Gate-emitter voltage
VGES
IGBT short circuit SOA
www.DJautnacSthioenet4teUm.cpomerature
tpsc
VCC = 900 V, VCEM 1200 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
Tvj
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9
Doc. No. 5SYA1637-00 July 06
min max Unit
1200 V
150 A
300 A
-20 20 V
10 µs
-40 150 °C
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.




5SMX12M1273 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5SMX 12M1273
300 300
VCE = 20 V
250
25 °C
250
125 °C
200 200
150 150
100
50
0
0
VGE = 15 V
123
VCE [V]
4
100
125 °C
50 25 °C
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]
Fig. 1 Typical on-state characteristics
Fig. 2 Typical transfer characteristics
0.08
VCC = 600 V
0.07 RG = 8.2 ohm
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
0.06 Lσ = 60 nH
www.DataSheet4U.com
0.05
0.04
0.03
0.02
Eon
Eoff
0.01
0
0 50 100 150 200 250 300
IC [A]
0.07
0.06
0.05
VCC = 600 V
IC = 150 A
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 60 nH
0.04
Eon
0.03
0.02
0.01
Eoff
0
0 10 20 30 40 50
RG [ohm]
Fig. 3 Typical switching characteristics vs
collector current
Fig. 4 Typical switching characteristics vs
gate resistor
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1637-00 July 06
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