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5SMX12M1701 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 5SMX12M1701 기능
기능 IGBT-Die
제조업체 ABB
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5SMX12M1701 데이터시트, 핀배열, 회로
9&(  9
,&  $
,*%7'LH
60; 0
'LH VL]H  [  PP
/RZ ORVV WKLQ ,*%7 GLH
+LJKO\ UXJJHG 637 GHVLJQ
/DUJH IURQW ERQGDEOH DUHD
)URQWVLGH SDVVLYDWLRQ SRO\LPLGH
Doc. No. 5SYA1620-01 July 03
0D[LPXP UDWHG YDOXHV 
3DUDPHWHU
6\PERO &RQGLWLRQV
Collector-emitter voltage
DC collector current
Peak collector current
Gate-emitter voltage
IGBT short circuit SOA
www.DJautanSchteioent4Ute.mcopmerature
VCES
IC
ICM
VGES
tpsc
Tvj
VGE = 0 V, Tvj 25 °C
Limited by Tvjmax
VCC = 1300 V, VCEM 1700 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur
PLQ PD[ 8QLW
1700 V
100 A
200 A
-20 20 V
10 µs
-40 150 °C
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH




5SMX12M1701 pdf, 반도체, 판매, 대치품
60; 0
200
25 °C
175
125 °C
150
125
100
75
50
25
VGE = 15 V
0
012345
VCE [V]
200
VCE = 25 V
175
150
125
100
75
125 °C
50
25 °C
25
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]
)LJ  Typical onstate characteristics
)LJ  Typical transfer characteristics
0.300
VCC = 900 V
RG = 10 ohm
0.250
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 160 nH
www.DataSheet4U.com
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
0
Eon
Eoff
50 100 150 200 250 300
Ic [A]
0.100
0.090
0.080
0.070
VCC = 900 V
IC = 100 A
VGE = ±15 V
Tvj = 125 °C
Lσ = 160 nH
0.060
0.050
Eon
0.040
0.030
0.020
Eoff
0.010
0.000
0
10 20 30 40 50 60 70
RG [ohm]
)LJ  Typical switching characteristics vs
collector current
)LJ  Typical switching characteristics vs
gate resistor
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH
Doc. No. 5SYA1620-01 July 03
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