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5SMX12H1251 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 5SMX12H1251
기능 IGBT-Die
제조업체 ABB
로고 ABB 로고 


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5SMX12H1251 데이터시트, 핀배열, 회로
9&(  9
,&  $
,*%7'LH
60;+
'LH VL]H  [  PP
Doc. No. 5SYA1607-01 Aug 02
/RZ ORVV WKLQ ,*%7 GLH
+LJKO\ UXJJHG 637 GHVLJQ
/DUJH IURQW ERQGDEOH DUHD
0D[LPXP 5DWHG 9DOXHV
3DUDPHWHU
6\PERO
Collector-Emitter Voltage
DC Collector Current
Maximum Collector Current
Operating Temperature
VCES
IC
ICM
Tj
(Tj = 25°C, unless specified otherwise)
&RQGLWLRQV
9DOXHV
1200
50
Limited by Tjmax
100
-40 ... +150
8QLW
V
A
A
°C
&KDUDFWHULVWLF 9DOXHV
3DUDPHWHU
(Tj = 25°C, unless specified otherwise)
6\PERO
&RQGLWLRQV
PLQ W\S PD[ 8QLW
Collector-Emitter Saturation
www.DVaotalStahgeeet4U.com
Collector-Emitter leakage
Current
Gate-Emitter leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Turn-on delay time
Rise time
Turn-on switching energy
Turn-off delay time
Fall time
Turn-off switching energy
Internal gate resistance
Input capacitance
Total gate charge
VCE(sat)
ICES
IGES
VGE(TO)
td(on)
tr
Eon
td(off)
tf
Eoff
RGint
Cies
Qge
IC = 50 A,
VGE = 15 V
Tj = 25 °C 1.7 1.9 2.3
Tj = 125 °C
2.1
VCE = 1200 V,
VGE = 0 V
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
100
200
VCE = 0 V, VGE = ±20 V
IC = 2 mA, VCE = VGE
IC = 50 A, VCC = 600 V,
RG   9GE = ±15 V,
Tj = 125 °C, Lσ = 50 nH,
Inductive load,
FWD : 5SLX12E1200
±200
4.5 6.5
100
50
5.5
550
40
5
5
Vce = 25 V, Vge = 0 V, f = 1 MHz
4.5
Vge = -15 .. +15 V
600
V
V
µA
µA
nA
V
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
nF
nC
$%% 6ZLW]HUODQG /WG 6HPLFRQGXFWRUV UHVHUYHV WKH ULJKW WR FKDQJH VSHFLILFDWLRQV ZLWKRXW QRWLFH






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