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40HF80 데이터시트 PDF




Naina Semiconductor에서 제조한 전자 부품 40HF80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 40HF80 자료 제공

부품번호 40HF80 기능
기능 SILICON POWER DIODES
제조업체 Naina Semiconductor
로고 Naina Semiconductor 로고


40HF80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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40HF80 데이터시트, 핀배열, 회로
40HF/40HFR
SILICON POWER DIODES
NAINA
DO-5
FEATURES
• All Diffused Series
• Available in Normal & Reverse Polarity
• Industrial Grade
• Available In Avalanche Characteristic
* Available in metric and UNF thread
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
IF(AV) Maximum Average Forward
Current Te=1400C
VFM Maximum peak forward
voltage drop @ Rated IF(AV)
IFRM
Maximum peak one cycle
(non-rep) surge current 10 m sec
IFRM
Maximum peak repetitive
surge current
I2tMaximum I2t rating (non-rep.)
for 5 to 10 m sec
40A
1.2V
500 A
200 A
1200A2Sec
THERMAL MECHANICAL SPECIFICATIONS
40 HF/ HFR
POLARITY
AC
7
Ø 4.0
NormCal ReveArse
17 A/F
M8 x 1.25
27
12
11.5
Ø 8.0
16
POLARITY
AC
NormCal ReveArse
17 A/F
32
12
11.5
M 8 x 1.25
θJC
Tj
Tstg
W
www.DataSheet4U.com
Maximum thermal resistance Junction to case
Operating Junction Temp.
Storage temperature
Mounting torque
(Non-lubricated threads)
Approx, weight
ELECTRICAL RATINGS
10C/W
-650C to 1500C
-650C to 2000C
0.4 M-kg min,
0.6 M-kg max
13.5 & 30 gms.
TYPE
VRRM
VR(RMS)
40HF/HFR
Max. repetitive peak reverse
voltage (v)
10
100
Max. R.M.S. reverse voltage (V) 70
20 40 60
200 400 600
140 280 420
80 100
800 1000
120 140 160
1200 1400 1600
560 700 840 980 1120
VR Max. D.C. Blocking Voltage (V) 100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
Recommended R.M.S. working 40 80 160 240 320 400
Voltage(v)
480 560 640
IR(AV)
Max. Average reverse leakage 200 200 200 200 200 200
200 200 200
current @ VRMM Tc 250C uA
NAINA SEMICONDUCTOR LTD
D95,SECTOR 63,NOIDA(INDIA)
e-mail: [email protected], web site :www.nainasemi.com





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