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LY62L51316 데이터시트 PDF




Lyontek에서 제조한 전자 부품 LY62L51316은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LY62L51316 자료 제공

부품번호 LY62L51316 기능
기능 512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
제조업체 Lyontek
로고 Lyontek 로고


LY62L51316 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LY62L51316 데이터시트, 핀배열, 회로
®
Rev. 1.4
LY62L51316
512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
REVISION HISTORY
Revision
Rev. 1.0
Rev. 1.1
Rev. 1.2
Rev. 1.3
Rev. 1.4
Description
Initial Issue
Revised 48-ball 6mm × 8mm TFBGA Package Outline
Dimension
Added ISB Spec.
Added SL Spec.
Added ISB1/IDR values when TA = 25and TA = 40
Revised FEATURES & ORDERING INFORMATION
Lead free and green package available to Green package
available
Added packing type in ORDERING INFORMATION
Deleted TSOLDER in ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS
Issue Date
Apr.12.2007
May.28.2007
Feb.1.2008
Jul.2.2008
Mar.30.2009
www.DataSheet4U.com
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.
TEL: 886-3-6668838
FAX: 886-3-6668836
0




LY62L51316 pdf, 반도체, 판매, 대치품
®
Rev. 1.4
LY62L51316
512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
TRUTH TABLE
MODE
CE# CE2 OE#
HX
Standby
XL
XX
Output Disable
L
L
H
H
LH
Read
LH
LH
LH
Write
LH
LH
Note: H = VIH, L = VIL, X = Don't care.
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE# LB#
XX
XX
XH
HL
HX
HL
HH
HL
LL
LH
LL
UB#
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I/O OPERATION
DQ0-DQ7 DQ8-DQ15
High – Z
High – Z
High – Z
High – Z
High – Z
High – Z
High – Z High – Z
High – Z High – Z
DOUT
High – Z
DOUT
DIN
High – Z
DIN
High – Z
DOUT
DOUT
High – Z
DIN
DIN
SUPPLY CURRENT
ISB,ISB1
ICC,ICC1
ICC,ICC1
ICC,ICC1
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER SYMBOL
TEST CONDITION
Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
VCC
VIH*1
VIL*2
Input Leakage Current
ILI VCC VIN VSS
Output Leakage
Current
ILO
VCC VOUT VSS,
Output Disabled
Output High Voltage
VOH IOH = -1mA
Output Low Voltage
VOL IOL = 2mA
www.DataSheet4U.com
Average Operating
Cycle time = Min.
ICC
CE# = VIL and CE2 = VIH
II/O = 0mA
Other pins at VIL or VIH
- 55
- 70
Power supply Current
Cycle time = 1µs
ICC1
CE#0.2V and CE2VCC-0.2V
II/O = 0mA
other pins at 0.2V or VCC-0.2V
ISB
CE# = VIH or CE2 = VIL
Other pins at VIL or VIH
LL
LLE
Standby Power
Supply Current
CE# VCC-0.2V
ISB1
or CE20.2V
Other pins at 0.2V
or VCC-0.2V
LLI
SL*5 25
SLE*5
SLI*5 40
SL
SLE
SLI
Notes:
1. VIH(max) = VCC + 3.0V for pulse width less than 10ns.
2. VIL(min) = VSS - 3.0V for pulse width less than 10ns.
3. Over/Undershoot specifications are characterized, not 100% tested.
MIN.
2.7
2.2
- 0.2
-1
-1
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP. *4
3.0
-
-
-
MAX.
3.6
VCC+0.3
0.6
1
-1
2.7 -
- 0.4
30 40
UNIT
V
V
V
µA
µA
V
V
mA
20 30 mA
4 8 mA
0.15 1
5 30
5 40
5 50
1.5 5
1.5 5
1.5 15
1.5 15
1.5 20
mA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
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5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.
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FAX: 886-3-6668836
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LY62L51316 전자부품, 판매, 대치품
®
Rev. 1.4
LY62L51316
512K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
WRITE CYCLE 1 (WE# Controlled) (1,2,3,5,6)
Address
CE#
CE2
LB#,UB#
WE#
Dout
Din
tWC
tAW
tCW
tBW
tAS tWP
tWHZ
(4)
tWR
High-Z
TOW
tDW tDH
Data Valid
(4)
WRITE CYCLE 2 (CE# and CE2 Controlled) (1,2,5,6)
Address
www.DataSheet4U.com
CE#
CE2
tWC
tAW
tAS
tCW
LB#,UB#
tBW
WE#
Dout
tWHZ
(4)
tWP
Din
tWR
High-Z
tDW tDH
Data Valid
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.
TEL: 886-3-6668838
FAX: 886-3-6668836
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