Datasheet.kr   

MWI75-12A8 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 MWI75-12A8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MWI75-12A8 자료 제공

부품번호 MWI75-12A8 기능
기능 IGBT Modules
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


MWI75-12A8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MWI75-12A8 데이터시트, 핀배열, 회로
MWI 75-12 A8
IGBT Modules
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IC25 = 125 A
VCES
= 1200 V
VCE(sat) typ. = 2.2 V
13, 21
1
2
3
4
14, 20
59
6 10
7 11
8 12
19
17
15
IGBTs
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC80
RBSOA
t
SC
(SCSOA)
Ptot
Conditions
Maximum Ratings
TVJ = 25°C to 150°C
1200
± 20
V
V
TC = 25°C
TC = 80°C
125
85
VGE = ±15 V; RG = 15 ; TVJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 µH
ICM = 150
VCEK VCES
V
CE
=
V;
CES
VGE
=
±15
V;
R
G
=
15
;
TVJ
=
125°C
non-repetitive
10
A
A
A
µs
TC = 25°C
500 W
Symbol
Conditions
www.DataSheet4U.com
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VCE(sat)
V
GE(th)
ICES
IGES
t
d(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Cies
QGon
R
thJC
IC = 75 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I = 3 mA; V = V
C GE CE
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
VCE = 0 V; VGE = ± 20 V
Inductive load, TVJ = 125°C
VCE = 600 V; IC = 75 A
V
GE
=
±15
V;
R
G
=
15
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz
VCE = 600V; VGE = 15 V; IC = 75 A
(per IGBT)
2.2 2.6 V
2.5 V
4.5 6.5 V
5 mA
3 mA
400 nA
100 ns
50 ns
650 ns
50 ns
12.1 mJ
10.5 mJ
5.5 nF
350 nC
0.25 K/W
Features
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
switching frequency up to 30 kHz
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy parallelling
MOS input, voltage controlled
ultra fast free wheeling diodes
solderable pins for PCB mounting
package with copper base plate
Advantages
space savings
reduced protection circuits
package designed for wave soldering
Typical Applications
AC motor control
AC servo and robot drives
power supplies
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2004 IXYS All rights reserved
1-2




MWI75-12A8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MWI 75-12 A8
32
mJ
24
Eon
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 15
TVJ = 125°C
16
td(on)
8
ns
6
t
4
20
mJ
Eoff 15
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 15
TVJ = 125°C
10
10
ns
75
50
82
Eon
0
0
40
0
80 120 A 160
IC
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
32
mJ
Eon 24
8
td(on) ns
6
t
16 4
8
Eon
0
0 10
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
IC = 75 A
TVJ = 125°C
20 30 40
RG
2
0
50 60
www.DataSheet4UF.cigo.m9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
200
A
ICM 150
100
50
RG = 15
TVJ = 125°C
5 25
00
0 40 80 120 A 160
IC
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
15
mJ
Eoff
10
5
VCE = 600 V
VGE = ±15 V
IC = 75 A
TVJ = 125°C
n
00
0 10 20 30 40 50 60
RG
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
ZthJC
0.01
diode
IGBT
0.001
single pulse
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2004 IXYS All rights reserved
0.0001
0.0001 0.001 0.01
0.1
MWI75-12A8
1
t
s 10
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
4-2

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ MWI75-12A8.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MWI75-12A5

IGBT Modules

IXYS Corporation
IXYS Corporation
MWI75-12A8

IGBT Modules

IXYS Corporation
IXYS Corporation

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵