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GM3055 데이터시트 PDF




GTM CORPORATION에서 제조한 전자 부품 GM3055은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GM3055 자료 제공

부품번호 GM3055 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM CORPORATION
로고 GTM CORPORATION 로고


GM3055 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GM3055 데이터시트, 핀배열, 회로
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GM3055 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
1/6
Description
The SOT-89 package is universally preferred for all commercial industrial surface mount applications and
suited for low voltage applications such as DC/DC converters.
Package Dimensions
SOT-89
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Operating Junction Temperature Range
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
Drain - Source Voltage
VDS
Gate - Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current ,VGS@10V
ID@TC=25
Continuous Drain Current ,VGS@10V
Pulsed Drain Current1
ID@TC=100
IDM
Total Power Dissipation
PD@TC=25
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
4.4 4.6
4.05 4.25
1.50 1.70
1.30 1.50
2.40 2.60
0.89 1.20
REF.
G
H
I
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
3.00 REF.
1.50 REF.
0.40 0.52
1.40 1.60
0.35 0.41
5 TYP.
0.70 REF.
Ratings
-55 ~+150
-55 ~ +150
30
±20
15
9
50
15
Unit
V
V
A
A
A
W
Thermal Data
Symbol
Rthj-case
Rthj-amb
parameter
Thermal Resistance junction-case
Thermal Resistance junction-ambient
Max.
Max.
Value
3
42
Unit
/W
/W
Source –Drain Diode
Symbol
Parameter
Is Continuous source Current (Body Diode)
ISM Pulsed Source Current(Body Diode)1
VsD Forward On Voltage2
Test Conditions
VD=VG=0V, VS=1.3V
Tj=25 ,Is=15A,VGS=0V
Min. Typ. Max. Units
-
- 15
A
-
- 50
A
-
- 1.3
V




GM3055 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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