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부품번호 | STPSC606 기능 |
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기능 | Schottky Barrier 600 V power Schottky silicon carbide diode | ||
제조업체 | ST Microelectronics | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
www.DataSheet4U.com
STPSC606
600 V power Schottky silicon carbide diode
Features
■ No or negligible reverse recovery
■ Switching behavior independent of
temperature
■ Dedicated to PFC boost diode
Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power
Schottky diode. It is manufactured using a silicon
carbide substrate. The wide bandgap material
allows the design of a Schottky diode structure
with a 600 V rating. Due to the Schottky
construction no recovery is shown at turn-off and
ringing patterns are negligible. The minimal
capacitive turn-off behavior is independent of
temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC
operations in hard switching conditions.
K
A
K
TO-220AC
STPSC606D
K
A
NC
D2PAK
STPSC606G
Table 1. Device summary
IF(AV)
VRRM
Tj (max)
QC (typ)
6A
600 V
175 °C
6 nC
September 2009
Doc ID 16284 Rev 1
1/8
www.st.com
8
Characteristics
www.DaStaTSPheSeCt46U0.c6om
Figure 5.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Zth(j-c)/Rth(j-c)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1 Single pulse
0.0
1.E-05
1.E-04
1.E-03
tp(s)
1.E-02
1.E-01
1.E+00 1.E+01
Figure 6.
Non-repetitive peak surge forward
current versus pulse duration
(sinusoidal waveform)
IFSM(A)
1.E+03
1.E+02
1.E+01
Tc=25 °C
Tc=125 °C
1.E+00
1.E-05
1.E-04
tp(s)
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Figure 7.
Total capacitive charges versus dIF/dt (typical values)
QC(nC)
12
IF=6 A
10
VR=400 V
Tj=150 °C
8
6
4
2
dIF/dt(A/µs)
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
4/8 Doc ID 16284 Rev 1
4페이지 STPSC606
3 Ordering information
Ordwerwinwg.DiantafoShrmeeat4tiUo.cnom
Table 8. Ordering information
Order code
Marking
STPSC606D
STPSC606D
STPSC606G-TR
STPSC606G
Package
TO-220AC
D2PAK
Weight
1.86 g
1.48 g
Base qty Delivery mode
50
1000
Tube
Tape and reel
4 Revision history
Table 9. Document revision history
Date
Revision
24-Sep-2009
1 First issue.
Changes
Doc ID 16284 Rev 1
7/8
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
STPSC606 | Schottky Barrier 600 V power Schottky silicon carbide diode | ST Microelectronics |
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