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BLD137D 데이터시트 PDF




Shenzhen SI Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLD137D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BLD137D 자료 제공

부품번호 BLD137D 기능
기능 BLD SERIES TRANSISTORS
제조업체 Shenzhen SI Semiconductors
로고 Shenzhen SI Semiconductors 로고


BLD137D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BLD137D 데이터시트, 핀배열, 회로
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
www.DataSheet4U.com
BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS
BLD137D
特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■FEATURES HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
ELECTRONIC TRANSFORMER
SWITCH MODE POWER SUPPLY
最大额定值(Tc=25°C
( )Absolute Maximum Ratings Tc=25°C
TO-220
参数
PARAMETER
集电极-基极电压
集电极 发射极电压Collector-Base Voltage
-
发射极 基极电压Collector-Emitter Voltage
-
集电极电流Emitter- Base Voltage
集电极耗散功率Collector Current
最高工作温度Total Power Dissipation
贮存温度Junction Temperature
Storage Temperature
符号
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
额定值
VALUE
700
400
9
8
90
150
-65-150
单位
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
电特性 ( )Tc=25°C
( )参数名称 符号Electronic Characteristics Tc=25°C
CHARA-CTERISTICS
集电极 发射极截止电流Collector-Base Cutoff Current
-
集电极 发射极电压Collector-Emitter Cutoff Current
-
发射极 基极电压Collector-Emitter Voltage
-
Emitter -Base Voltage
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间
下降时间Storage Time
内置Falling Time压降
Diode Forward Voltage
ts
tf
Vf
测试条件
TEST CONDITION
VCB=700V
VCE=400V,IB=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=2.0A,IB=0.4A
IC=8.0A,IB=2.0A
IC=2A,IB=0.4A
VCE=5V,IC=10mA
VCE=5V,IC=2.0A
Vce=5VIc=8A
VCC=5V,IC=0.5A,
(UI9600 )
IF=4.0A
最小值
MIN
400
9
7
10
5
4.0
最大值
MAX
100
250
0.5
1.5
1.3
40
8.0
0.8
2.5
单位
UNIT
µA
µA
V
V
V
µs
V
Si semiconductors 2007.04
1





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