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부품번호 | BLD137D 기능 |
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기능 | BLD SERIES TRANSISTORS | ||
제조업체 | Shenzhen SI Semiconductors | ||
로고 | |||
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
www.DataSheet4U.com
BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS
BLD137D
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
● :■ ■ ■ ■FEATURES HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 节能灯 电子镇流器 电子变压器 开关电源
● ■APPLICATION: FLUORESCENT LAMP
■ELECTRONIC BALLAST
■ELECTRONIC TRANSFORMER
■SWITCH MODE POWER SUPPLY
● 最大额定值(Tc=25°C)
● ( )Absolute Maximum Ratings Tc=25°C
TO-220
参数
PARAMETER
集电极-基极电压
集电极 发射极电压Collector-Base Voltage
-
发射极 基极电压Collector-Emitter Voltage
-
集电极电流Emitter- Base Voltage
集电极耗散功率Collector Current
最高工作温度Total Power Dissipation
贮存温度Junction Temperature
Storage Temperature
符号
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
额定值
VALUE
700
400
9
8
90
150
-65-150
单位
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
●电特性 ( )Tc=25°C
● ( )参数名称 符号Electronic Characteristics Tc=25°C
C集H电A极RA-基CT极E截RI止ST电IC流S
集电极 发射极截止电流Collector-Base Cutoff Current
-
集电极 发射极电压Collector-Emitter Cutoff Current
-
发射极 基极电压Collector-Emitter Voltage
-
Emitter -Base Voltage
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间
下降时间Storage Time
内置F二a极llin管g 正Tim向e压降
Diode Forward Voltage
ts
tf
Vf
测试条件
TEST CONDITION
VCB=700V
VCE=400V,IB=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=2.0A,IB=0.4A
IC=8.0A,IB=2.0A
IC=2A,IB=0.4A
VCE=5V,IC=10mA
VCE=5V,IC=2.0A
Vce=5VIc=8A
VCC=5V,IC=0.5A,
(UI9600 )
IF=4.0A
最小值
MIN
400
9
7
10
5
4.0
最大值
MAX
100
250
0.5
1.5
1.3
40
8.0
0.8
2.5
单位
UNIT
µA
µA
V
V
V
µs
V
Si semiconductors 2007.04
1
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLD137D | BLD SERIES TRANSISTORS | Shenzhen SI Semiconductors |
BLD137DL | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
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